SI4436DY-T1-E3 mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del canal N que cambia 60-V (D-S)
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 60 V 8A (Tc) 2.5W (TA), soporte 8-SOIC de la superficie 5W (Tc)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
60 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
± 20 V
Corriente pulsada del dren:
25A
Disipación de poder máxima:
5 W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento:
- °C 55 a 150
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
MOSFET del canal N 60-V (D-S)
CARACTERÍSTICAS
• Halógeno-libre según la definición del IEC 61249-2-21
• MOSFET del poder de TrenchFET®
• Optimizado para la operación síncrona del rectificador del “lado bajo”
• El 100% Rg y UIS probaron
USOS
• Inversor de CCFL
RESUMEN DEL PRODUCTO
| VDS (v) | RDS (encendido) (Ω) | Identificación (A) d | Qg (tipo.) |
| 60 |
0,036 en VGS = 10 V |
8 | nC 10,5 |
|
0,043 en VGS = 4,5 V |
LISTA COMÚN
| BYV27-200 | 9000 | VISHAY | 16+ | SOD-57 |
| GL852-MN6 | 3460 | GENESYS | 16+ | QFP |
| IRLML5103TRPBF | 9000 | IR | 12+ | SOT-23 |
| CH340T | 5275 | WCH | 15+ | SSOP-20 |
| DSP1A-24V | 3990 | Panasonic | 16+ | DIP-4 |
| AK4352VT-E2 | 2000 | AKM | 15+ | TSSOP16 |
| BLM18HB221SN1D | 8000 | MURATA | 15+ | SMD |
| FDS6680S | 2200 | FSC | 16+ | SOP-8 |
| HT46R47 | 2460 | HOLTEK | 15+ | DIP-18 |
| HT46R23 | 2460 | HOLTEK | 15+ | DIP-28 |
| IRF5800TR | 1500 | IR | 13+ | COMPENSACIÓN |
| FQP30N06 | 3460 | FAIRCHILD | 14+ | TO-220 |
| CAT660EVA-GT3 | 1380 | EN | 15+ | SOP-8 |
| AX5201ESA | 2170 | AXELITE | 15+ | SOP-8 |
| IPS7091GTRPBF | 1780 | IR | 14+ | SOP-8 |
| ADM2587EBRWZ | 2000 | ANUNCIO | 15+ | SOP-20 |
| AX3131ESA | 2170 | AXELITE | 16+ | SOP-8 |
| DCP020507U | 1150 | BB | 16+ | SOP-12 |
| AT89C2051-24SU | 2300 | ATMEL | 13+ | SOP-20 |
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