N - ¿Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G del Mosfet del poder más elevado del rf del ohmio
power mosfet ic
,multi emitter transistor
N - ¿Canal 600 V 2,0? Transistor NDD04N60ZT4G del Mosfet del poder más elevado del rf del ohmio
Características
• Bajo EN resistencia
• Carga baja de la puerta
• Puerta del ESD Diode−Protected
• La avalancha 100% probó
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente
NOTAS:
1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ASME Y14.5M, 1994. 2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADAS.
3. CONTORNO TERMAL del COJÍN OPCIONAL DENTRO DE LAS DIMENSIONES b3, L3 y Z.
4. LAS DIMENSIONES D Y E NO INCLUYEN EL FLASH, SALIENTES, O LAS REBABAS DEL MOLDE. EL FLASH DEL MOLDE, LAS SALIENTES, O LAS REBABAS DE LA PUERTA NO EXCEDERÁN 0,006 PULGADAS POR LADO.
5. LAS DIMENSIONES D Y E SE DETERMINAN EN LOS EXTREMOS EXTERIORES DEL CUERPO PLÁSTICO.
6. DATUMS A Y B SE DETERMINAN EN EL AVIÓN DE DATO H.
LISTA COMÚN
OP07CSZ | 10000 | ANUNCIO | 16+ | COMPENSACIÓN |
Z84C0010VEG | 450 | ZILOG | 08+ | PLCC-44 |
LM7805AZ | 10000 | WST | 15+ | TO-252 |
MJE18008G | 68000 | EN | 16+ | TO-220 |
MAX3241EUI+T | 1850 | MÁXIMA | 16+ | TSSOP |
MT48LC4M16A2B4-6AIT: J | 7282 | MICRÓN | 14+ | FBGA |
MBM29F800BA-70PFTN | 14812 | FUJITSU | 14+ | TSSOP |
MR4030 | 6267 | SHINDENGE | 14+ | TO220-7 |
MS1649 | 6512 | MSC | 16+ | CAN-3 |
LTM8032EV | 843 | LINEAR | 14+ | LGA |
MAX9917EUB | 11518 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
BTA208-800B | 10000 | 14+ | TO-220 | |
6MBP75RA060 | 453 | FUJI | 15+ | MÓDULO |
XL6005E1 | 2000 | XLSEMI | 15+ | TO252-5L |
LM565H | 356 | NSC | 14+ | CAN-10 |
MG15N6ES42 | 616 | TOSHIBA | 15+ | MÓDULO |
BH3854AS | 450 | ROHM | 12+ | DIP-32 |
XC3S1500-5FGG456C | 200 | XILINX | 11+ | BGA |
NJM4558L | 30000 | JRC | 16+ | SIP-8 |
LA1823 | 3994 | SANYO | 16+ | DIP-24 |
PCA82C250T | 11860 | 16+ | COMPENSACIÓN | |
P1553ABL | 8700 | LITTELFUS | 16+ | TO-220 |
PIC32MX795F512L-80I/PF | 1500 | MICROCHIP | 15+ | TQFP-100 |
MC7805CDTRK | 10000 | EN | 16+ | BORRACHÍN |
LM4755T | 975 | NSC | 14+ | TO-263 |
M93C06-MN6T | 10000 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
NAND128W3A2BN6E | 5680 | ST | 16+ | TSOP |
PMEG3005EH | 25000 | 15+ | SOD-123 | |
LA4270 | 2641 | SANYO | 15+ | ZIP-10 |
BTB24-600BWR | 3389 | ST | 14+ | TO-220 |
PKG4428PI | 80 | ERICSSON | 02+ | SMD |
LTC4252-2IMS | 6402 | LINEAR | 15+ | MSOP-10 |
LA4445 | 6010 | SANYO | 15+ | SIP-12 |
PN100 | 5000 | FSC | 16+ | TO-92 |
MAT01GH | 2200 | ANUNCIO | 15+ | PODER |
MIW3023 | 404 | MINMAX | 16+ | INMERSIÓN |
ATXMEGA64A3-AU | 500 | ATMEL | 10+ | QFP64 |
ATXMEGA64A1-AU | 1000 | ATMEL | 12+ | TQFP100 |
LM2841XMKX-ADJ | 3000 | TI | 14+ | TSOT-23-6 |
LTC2250CUH | 1655 | LINEAR | 14+ | QFN |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
