Silicio plástico PNP DarliCM GROUPons de Medium−Power del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BD682G
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistores complementarios de DarliCM GROUPon del poder
Características
■Buenas linearidades del hFE
■Alto pie de frecuencia
■Configuración monolítica de DarliCM GROUPon con el diodo antiparalelo integrado del colector-emisor
Usos
■Equipo industrial linear y que cambia
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología baja planar de la isla con la configuración monolítica de DarliCM GROUPon.
Grados máximos absolutos
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |||
NPN | BD677 BD677A | BD679 BD679A | BD681 | |||
PNP | BD678 BD678A | BD680 BD680A | BD682 | |||
VCBO | voltaje de la Colector-base (IE = 0) | 60 | 80 | 100 | V | |
VCEO | voltaje del Colector-emisor (IB = 0) | |||||
VEBO | voltaje de la Emitte-base (IC = 0) | 5 | V | |||
IC | Corriente de colector | 4 | ||||
ICM | Corriente máxima del colector | 6 | ||||
IB | Corriente baja | 0,1 | ||||
PTOT | Disipación total en Tcase = 25°C | 40 | W | |||
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -65 a 150 | °C | |||
TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento máxima | 150 | °C |
Nota: Para los tipos voltaje y valores actuales de PNP sea negativo
Diagrama esquemático interno
Circuito resistente de la prueba de la transferencia de la carga
Nota: Para los tipos valores actuales de PNP del voltaje e sea negativo.
Datos mecánicos del paquete
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
LM725CN | 4201 | NSC | 14+ | DIP-8 |
NCP1117DT50RK | 10000 | EN | 16+ | SOT-252 |
OPA131UJ | 6420 | BB | 14+ | SOP-8 |
MC14106BDR2G | 10000 | EN | 10+ | COMPENSACIÓN |
MRA4003T3G | 25000 | EN | 16+ | SMA |
MCP1702T-2502E/CB | 10000 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
LM2703MF-ADJ | 5307 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
PH2369 | 38000 | PHILIPS | 16+ | TO-92 |
PG164130 | 700 | MICROCHIP | 14+ | SMD |
PE4259 | 10000 | PEREGRINO | 16+ | BORRACHÍN |
XTR111AIDGQR | 2000 | TI | 15+ | MSOP-10 |
LM2937ESX-5.0 | 2000 | NSC | 14+ | TO-263 |
OPA380AIDGKR | 7600 | TI | 15+ | MSOP |
MIC2920A-3.3WS | 6418 | MICREL | 16+ | SOT-223 |
LM2940IMPX-5.0 | 9204 | NSC | 14+ | SOT-223 |
MC1466L | 9623 | MOT | 15+ | INMERSIÓN |
PIC16F870-I/SP | 4938 | MICROCHIP | 16+ | INMERSIÓN |
PIC16F88-I/SO | 4758 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
MPXHZ6400AC6T1 | 6148 | FREESCALE | 10+ | SSOP |
LT1509CSW | 2962 | LINEAR | 15+ | SOP-20 |
MDP13N50TH | 5932 | MAGNACHIP | 16+ | TO-220 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
