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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G
Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W a través del agujero TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
voltaje del Colector-emisor:
250 VDC
Voltaje del colector-Bsae:
250 VDC
Voltaje del emisor-Bsae:
5,0 VDC
Corriente de Bsae:
2,0 ADC
Temperatura de empalme de funcionamiento:
℃ -65 a +150
Temperatura de almacenamiento:
℃ -65 a +150
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
BCX71G 48000 FAIRCHILD 15+ SOT-23
UC3842 49825 EN 16+ DIP-8
2SA1774TLR 50000 ROHM 16+ SOT23-3
2SC3355 50000 NEC 14+ TO-92
FDN338P 50000 FSC 14+ SOT-23
KIA78L08 50000 KEC 14+ SOT89
SS13 50000 VISHAY 16+ SMA
MBT2907ALT1G 51200 EN 16+ SOT-23
BAV70 52000 13+ SOT23
SK16 52000 MOSPEC 15+ SMA
UMX1N 60000 ROHM 16+ SOT363
NJM4558D-#ZZZB 70000 JRC 16+ DIP8
2SA1586-GR 78000 TOSHIBA 14+ SOT-323
SMBJ18A 88000 VISHAY 14+ DO-214AA
UC3842BD1013TR 90000 ST 14+ SOP8
FR607 98000 MIC 16+ R-6
BC857BLT1G 99000 EN 16+ SOT-23
78L05 100000 TI 13+ TO92
AP8022 100000 CHIPOWN 15+ DIP-8
SMBJ12CA 101000 VISHAY 16+ SMB
BC847BLT1G 117000 EN 16+ SOT-23
BAT54A 6000 14+ SOT-23
2N7002P 3000 14+ STO-23
AD9957BSVZ 2010 ADI 14+ QFP
BY500-800 2015 VISHAY 16+ DO-201
LM311P 2020 TI 16+ DIP8
XC5VSX95T-1FFG1136C 525 XILINX 13+ BGA
XC5VSX95T-1FFG1136I 530 XILINX 15+ BGA
AD9958BCPZ 2035 ANUNCIO 16+ BGA
BD237 2040 16+ INMERSIÓN

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP)

Transistores de poder complementarios del plástico del silicio

8,0 AMPERIOS ACCIONAN EL SILICIO COMPLEMENTARIO DE LOS TRANSISTORES 250 VOLTIOS, 50 VATIOS

Diseñado para el uso como conductores del high−frequency en amplificadores audios.

Características

• El aumento actual de DC especificó a 5,0 amperios

hFE = 70 (minuto) @ IC = 0,5 ADC

= 10 (minuto) @ IC = 2,0 ADC

• Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter

− VCEO (sus) = 250 VDC (minuto) de − MJE15032, MJE15033

• Producto de gran intensidad del ancho de banda del − del aumento

pie = 30 megaciclos (minuto) @ IC = mAdc 500

• Paquete del acuerdo de TO−220AB

• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones adentro

• Grados del ESD: Modelo de máquina C

Modelo 3B del cuerpo humano

• Los paquetes de Pb−Free son Available*

GRADOS MÁXIMOS

GRADO

SÍMBOLO

VALOR

UNIDAD

Voltaje del Colector-emisor

VCEO

250

VDC

Voltaje del colector-Bsae

VCB

250

VDC

Voltaje del emisor-Bsae

VEB

5,0

VDC

Corriente de colector - continua

- Pico

IC

8,0

16

ADC

Corriente de Bsae

IB

2,0

ADC

Disipación de poder total @TC=25℃

Reduzca la capacidad normal sobre 25℃

Paladio

50

0,40

W

W/℃

Disipación de poder total @TA=25℃

Reduzca la capacidad normal sobre 25℃

Paladio

2,0

0,016

W

W/℃

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento y del funcionamiento

TJ, TSTG

-65 a +150

℃

DIMENSIONES DEL PAQUETE

TO−220

CASO 221A−09

PROBLEMA AA

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