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mosfet FDS9945 del poder del MOSFET del foso del poder del canal N que cambia 60V

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial 8-SOIC del arsenal 60V 3.5A 1W del Mosfet
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
60 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
±20 V
Dren Curren:
3,5A
Disipación de poder para la sola operación:
2 W
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
°C -55 a +175
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

LISTA COMÚN

MSP3420GB8V3 6596 MSP 15+ INMERSIÓN
LTV8141 10000 LITEON 16+ INMERSIÓN
MAX6301CSA 4076 MÁXIMA 16+ COMPENSACIÓN
LM2841XBMKX 10188 NSC 15+ SOT-23-5
LMC7111BIM5 10000 NSC 14+ SOT-23-5
LM3876T 543 NSC 13+ ZIP-11
LMC6062AIM 4239 NSC 14+ SOP-8
LMV431BIMF 10000 NSC 15+ SOT-23
MAX8682ETM 5146 MÁXIMA 16+ QFN
LMC6572BIM 4338 NSC 14+ SOP-14
LMC6482IMX 2999 NSC 15+ SOP-8
LM7301IM5 4926 NSC 15+ SOT-23-5
PAL007A 3260 MOSFET 14+ CREMALLERA
MS5540-CM 6519 MEASUYEME 16+ SMD
88AP270MA2-BHE1C520 320 MARVELL 15+ BGA
MT9171AN 7471 ZARLINK 16+ SSOP
MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 EN 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ BORRACHÍN
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MÓDULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MÓDULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MÓDULO
MAX209EWG 7850 MÁXIMA 14+ COMPENSACIÓN
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 EN 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MÁXIMA 16+ QFN
MAC97A6 25000 EN 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRO 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 ENREJADO 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 EN 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MÓDULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MÓDULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MÓDULO
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANUNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MÓDULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MÓDULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MÓDULO
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ CREMALLERA
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MÓDULO
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MÓDULO
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MÓDULO
PWB130A40 120 SANREX 14+ MÓDULO
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9


FDS9945

mosfet del poder del MOSFET de PowerTrench del canal N que cambia 60V

Características

· 3,5 A, 60 V. RDS (ENCENDIDO) = 0.100W @ VGS = 10 V RDS (ENCENDIDO) = 0.200W @ VGS = 4.5V

· Optimizado para el uso en cambiar los convertidores de DC/DC con los reguladores de PWM

· Transferencia rápida misma

· Carga baja de la puerta.

Descripción general

Este el MOSFET del nivel de la lógica del canal N se ha diseñado específicamente para mejorar la eficacia total de los convertidores de DC/DC usando reguladores síncronos o convencionales de la transferencia PWM.

La transferencia más rápida de la característica del MOSFET y la carga más baja de la puerta que el otro MOSFET con especificaciones comparables del RDS (encendido)

El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir

(incluso en los mismos de alta frecuencia), y diseños de la fuente de alimentación de DC/DC con una eficacia total más alta.

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