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Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23

Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23
Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
– 65°C a +150°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
2.5V
Actual:
50mW
Paquete:
SOT-23
Paquete de la fábrica:
3000PCS/Reel
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23

Características

• Pequeña capacitancia de reacción

• Figura de poco ruido

• Alta frecuencia de la transición

• Ventaja (Pb) - componente libre

• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC

Usos

Pequeños amplificadores de poco ruido de la señal hasta 2 gigahertz. Este transistor tiene la figura de ruido superior y funcionamiento asociado del aumento en la frecuencia ultraelevada, el VHF y las frecuencias microondas.

Tipo de datos mecánico:

Caso BFQ67: Peso del estuche de plástico SOT-23: marca del magnesio aproximadamente 8,0: Fijación V2: 1 = colector, 2 = base, 3 = tipo del emisor: Caso de BFQ67R: Peso del estuche de plástico SOT-23: marca del magnesio aproximadamente 8,0: Fijación R67: 1 = colector, 2 = base, 3 = tipo del emisor: Caso de BFQ67W: Peso del estuche de plástico SOT-323: marca del magnesio aproximadamente 6,0: Fijación WV2: 1 = colector, 2 = base, 3 = emisor

Grados máximos absolutos

Tamb = °C 25 salvo especificación de lo contrario

Parámetro Sybol Valor Unidad
voltaje de la Colector-base VCBO 20 V
voltaje del Colector-emisor VCEO 10 V
voltaje de la Emisor-base VEBO 2,5 V
Corriente de colector IC 50 mA
Disipación de poder total Ptot 200 mW
Temperatura de empalme Pj 150 °C
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg -65 a +150 °C

Una parte de la lista común

DS18B20+ MÁXIMA 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO SAMSUNG 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD MÁXIMA 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 Dallas 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN MICROCHIP 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR MÁXIMA 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D MURATA IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D MURATA IA6903WR4 SMD0402
C1608X5R1A475K080AC TDK IB16C15763SD SMD0603
C0402C473K9RACTU KEMET 1622 SMD0402
C0402C472K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
CC0805KKX7R6BB106 YAGEO 1618 SMD0805
GRM31CR61E226KE15L MURATA IA6903WR4 SMD1206
CC0402KRX7R7BB103 YAGEO 1618 SMD0402
CC0603JRNP09BN120 YAGEO 1618 SMD0603
CC0603KRX5R8BB105 YAGEO 1618 SMD0603
RC0603FR-0715KL YAGEO 1636 SMD0603
RC0603FR-07232RL YAGEO 1619 SMD0603
RC0603FR-07240KL YAGEO 1617 SMD0603
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