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Hogar > productos > chips CI electrónicos > MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY

MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY

MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY
MOSFET de PowerTrench del P-canal del transistor 30V del Mosfet del poder del mosfet del poder del foso de SI4435DY
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte 8-SOIC de la superficie 2.5W (TA) del P-canal 30 V 8.8A (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
– 30 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
±20 V
Drene actual – continuo:
– 8,8 A
Disipación de poder para la sola operación:
2,5 W
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
– °C 55 a +175
Resistencia termal, empalme-a-caso:
25 °C/W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

SI4435DY

MOSFET de PowerTrench del P-canal 30V

Descripción general

Este MOSFET del P-canal es una versión rugosa de la puerta del proceso avanzado de PowerTrench del semiconductor de Fairchild. Se ha optimizado para los usos de la gestión del poder que el requerir una amplia gama dio los grados del voltaje de la impulsión (4.5V – 25V).

Usos

· Gestión del poder

· Interruptor de la carga

· Protección de la batería

Características

· – 8,8 A, – 30 V RDS (ENCENDIDO) = 20 mW @ VGS = – 10 V

RDS (ENCENDIDO) = 35 mW @ VGS = – 4,5 V

· Carga baja de la puerta (17nC típicos)

· Velocidad que cambia rápida

· Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)

· Poder más elevado y capacidad de dirección actual

Grados máximos absolutos TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grados Unidades
VDSS Voltaje de la Dren-fuente -30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ±20 V
Identificación

Drene actual – continuo (Nota 1a)

– Pulsado

 – 8,8
– 50
Paladio

Disipación de poder para la sola operación (Nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 2,5

W
1,2
1
TJ, TSTG Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento – 55 a +175 °C

Características termales

RθJA Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) 50 °C/W
RθJA Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1c) 125 °C/W
RθJC Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 1) 25 °C/W

Marca del paquete e información el ordenar

Marcado del dispositivo Dispositivo Tamaño del carrete Anchura de la cinta Cantidad
SI4435DY SI4435DY 13' ‘ 12m m 2500 unidades

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