ZXMN10A09KTC AUMENTO de alto voltaje del CANAL N 100V del mosfet de la energía baja del mosfet del poder del transistor del Mosfet del poder que cambia
power mosfet ic
,silicon power transistors
MOSFET del MODO del AUMENTO del CANAL N 100V EN DPAK
RESUMEN
V (BR) DSS=100V: RDS (encendido) =0.085; Identificación =7.7A
DESCRIPCIÓN
Esta nueva generación de MOSFETs del foso de Zetex utiliza una estructura única que combine las ventajas de la en-resistencia baja con velocidad que cambia rápida. Esto las hace ideales para la eficacia alta, usos de la gestión del poder de la baja tensión.
CARACTERÍSTICAS
• En-resistencia baja
• Velocidad que cambia rápida
• Impulsión baja de la puerta
• Paquete de D-Pak (T0-252)
USOS
• Convertidores de DC-DC
• Funciones de gestión del poder
• Interruptores de la desconexión
• Control de motor
CARACTERÍSTICAS TÍPICAS
LISTA COMÚN
LM614CWM | 2876 | NSC | 14+ | SOP-14 |
MAX708SESA | 10000 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
MCP1703AT-5002E/MB | 5086 | MICROCHIP | 16+ | SOT-89 |
LRPS-2-1 | 7310 | MINI | 16+ | COMPENSACIÓN |
CY62157EV30LL-45ZSXIT | 1783 | CYPRESS | 15+ | TSOP32 |
ZJYS51R5-2PT | 5000 | TDK | 15+ | SMD |
PIC18F14K50-I/SS | 4673 | MICROCHIP | 16+ | SSOP |
LT4363IMS-2 | 5445 | LINEAR | 15+ | MSOP |
ATMEGA8A-PU | 4090 | ATMEL | 15+ | DIP-28 |
LM4120IM5-3.3 | 4851 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
PEMD12 | 25000 | 16+ | BORRACHÍN | |
MGA-68563-TR1G | 6238 | AVAGO | 16+ | SOT-363 |
NTZD3155CT2G | 40000 | EN | 16+ | SOT-563 |
MIC841LYC5 | 10000 | MICREL | 16+ | SC70-5 |
MAX3110ECWI | 9650 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
MAX3140CEI | 9700 | MÁXIMA | 14+ | SSOP |
LM614IWMX | 4277 | NSC | 14+ | SOP-16 |
MAX3085CPA | 10000 | MÁXIMA | 16+ | INMERSIÓN |
LMZ22005TZ | 2135 | NSC | 14+ | TO-PMOD |
MAX6012AEUR | 3649 | MÁXIMA | 15+ | BORRACHÍN |
LMZ12001TZ-ADJ | 520 | NSC | 14+ | TO-PMOD-7 |
LT3590ESC8 | 13470 | LINEAR | 16+ | BORRACHÍN |
LT3693EMSE | 5370 | LINEAR | 14+ | MSOP |
ATXMEGA16D4-AU | 1000 | ATMEL | 14+ | QFP44 |
LT3574IMS | 6667 | LT | 15+ | MSOP |
MAX6675ISA+T | 5296 | MÁXIMA | 15+ | COMPENSACIÓN |
MAX4070AUA | 13100 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
LM7321MA | 2673 | NSC | 14+ | SOP-8 |
MAX1724EZK33+ | 6750 | MÁXIMA | 16+ | BORRACHÍN |
MT9040AN | 7450 | ZARLINK | 14+ | SSOP |
LT3023EMSE | 12634 | LT | 14+ | MSOP |
LT6654AHS6-2.5 | 4570 | LT | 16+ | BORRACHÍN |
LT3470ITS8 | 2942 | LINEAR | 16+ | BORRACHÍN |
OP727ARZ | 6300 | ANUNCIO | 15+ | COMPENSACIÓN |
P2808BO | 8740 | NIKO | 14+ | COMPENSACIÓN |
BQ4013YMA-70N | 2311 | TI | 14+ | QFN |
LTM8023IV | 5869 | LINEAR | 16+ | LGA |
A2C020162 | 100 | FREESCAL | 10+ | HSSOP36 |
XC7K160T-2FFG676I | 125 | XILINX | 15+ | BGA |
53014-0510 | 5126 | MOLEX | 15+ | CONECTE |
LTM4618IV | 5908 | LINEAR | 14+ | LGA |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
