Transistor fotovoltaico del Mosfet del poder de la retransmisión del MOSFET del poder de PVT312L del poder microelectrónico de IC
power mosfet ic
,multi emitter transistor
ingle poste, normalmente abierto, 0-250V, 190mA AC/DC
Características
“Salida del MOSFET del poder de HEXFET
“operación Despedida-libre
De “aislamiento de la entrada-salida 4.000 VRMS
“Cargue la limitación actual
“Operación linear de AC/DC
“Confiabilidad de estado sólido
La “UL reconoció y BABT certificado
“Tolerancia del ESD:
modelo de máquina del modelo 500V del cuerpo humano 4000V
Descripción general
La retransmisión fotovoltaica PVT312 es una retransmisión de estado sólido monopola, normalmente abierta que puede substituir las retransmisiones electromecánicas en muchos usos. Utiliza el MOSFET propietario del poder del HEXFET del rectificador internacional como el interruptor de salida, conducido por un generador fotovoltaico del circuito integrado de la construcción nueva. El interruptor de salida es controlado por la radiación de un diodo electroluminoso de GaAlAs (LED) que ópticamente se aísle del generador fotovoltaico
Este SSR se diseña específicamente para los usos de las telecomunicaciones. PVT312L emplea un conjunto de circuitos actual-limitador activo permitiéndole soportar transeúntes de la oleada actual.
Las retransmisiones PVT312 se empaquetan en 6 un perno, paquete moldeado de la INMERSIÓN con los terminales del por-agujero o superficiales del soporte (“gaviota-ala "). Está disponible en tubos de envío plásticos estándar o en cinta-y-carrete. Refiera por favor al contrario de la información de la identificación de la pieza.
LISTA COMÚN
BL05A | 888 | EN | 12+ | SOP-8 |
BT4830 | 2322 | AUGE | 15+ | CREMALLERA |
BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | COMPENSACIÓN |
M25PE20-VMN6TP | 4331 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | BORRACHÍN | |
PDTC124EU | 20000 | 16+ | BORRACHÍN | |
PBSS5350Z | 30000 | 16+ | SOT-23 | |
LPC11C22FBD48/301 | 3665 | 15+ | LQFP-48 | |
MWIC930NR1 | 807 | FREESCALE | 16+ | TO-272 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
