Poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de MMBT4401LT1G que cambia paladio de 225 mW
power mosfet ic
,silicon power transistors
Poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de MMBT4401LT1G que cambia paladio de 225 mW
Transistores de alto voltaje
Silicio de NPN
INFORMACIÓN EL ORDENAR
Orden del dispositivo | Tipo del paquete del número | † Del envío |
MMBT4401LT1 |
SOT−23 (Pb−Free) |
3.000/cinta y carrete |
MMBT4401LT1G |
(Pb−Free) |
3.000/cinta y carrete |
MMBT4401LT3 |
SOT−23 (Pb−Free) |
10.000/cinta y carrete |
Características
• El paquete de Pb−Free está disponible
NOTAS:
1. DIMENSIONALIZACIÓN Y TOLERANCING POR ANSI Y14.5M, 1982.
2. DIMENSIÓN QUE CONTROLA: PULGADA.
3. EL GRUESO MÁXIMO DE LA VENTAJA INCLUYE GRUESO DEL FINAL DE LA VENTAJA. EL GRUESO MÍNIMO DE LA VENTAJA ES EL GRUESO MÍNIMO DE LA MATERIA PRIMA.
4. LAS DIMENSIONES D Y E NO INCLUYEN EL FLASH DEL MOLDE, SALIENTES, O LAS REBABAS DE LA PUERTA.
CIRCUITOS EQUIVALENTES DE LA PRUEBA DEL TIEMPO QUE CAMBIAN
LISTA COMÚN
RA60H4047M1 | 600 | MITSUBISH | 15+ | MÓDULO |
LMZ14201TZX-ADJ | 834 | NSC | 12+ | TO-PMOD |
LM2665M6 | 5242 | NSC | 14+ | SOT-23-6 |
LT6700IS6-1 | 14658 | LT | 16+ | BORRACHÍN |
LT4256-2IS8 | 6330 | LT | 16+ | COMPENSACIÓN |
PCA9557PW | 12560 | TI | 16+ | TSSOP |
PS11032-Y1 | 250 | MITSUBISH | 11+ | MÓDULO |
SAB80C515-N | 1800 | SIEMENS | 02+ | PLCC |
MC33077DR2G | 13142 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
PS223 | 5000 | PHISON | 10+ | LQFP-64 |
BQ725 | 2135 | TI | 15+ | QFN |
2MBI150U2A-060 | 483 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
MAX6250BCSA | 3954 | MÁXIMA | 15+ | COMPENSACIÓN |
BTA41-700B | 3587 | ST | 15+ | TO-218 |
MAX1736EUT42 | 6800 | MÁXIMA | 16+ | BORRACHÍN |
PCM2902E | 6056 | TI | 14+ | SSOP |
MSP3420GB8V3 | 6596 | MSP | 15+ | INMERSIÓN |
LTV8141 | 10000 | LITEON | 16+ | INMERSIÓN |
MAX6301CSA | 4076 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
LM2841XBMKX | 10188 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
LMC7111BIM5 | 10000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
LM3876T | 543 | NSC | 13+ | ZIP-11 |
LMC6062AIM | 4239 | NSC | 14+ | SOP-8 |
LMV431BIMF | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
MAX8682ETM | 5146 | MÁXIMA | 16+ | QFN |
LMC6572BIM | 4338 | NSC | 14+ | SOP-14 |
LMC6482IMX | 2999 | NSC | 15+ | SOP-8 |
LM7301IM5 | 4926 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
PAL007A | 3260 | MOSFET | 14+ | CREMALLERA |
MS5540-CM | 6519 | MEASUYEME | 16+ | SMD |
88AP270MA2-BHE1C520 | 320 | MARVELL | 15+ | BGA |
MT9171AN | 7471 | ZARLINK | 16+ | SSOP |
MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
MURS140 | 25000 | EN | 16+ | DO-214 |
BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
