Se doblan los transistores de poder más elevado del MOSFET del foso del poder de 30 voltios FDS4935BZ
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
– 30 V
Voltaje de la Puerta-fuente:
+25 V
Drene actual – continuo:
– 6,9 A
Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento:
– control de calidad 55 a +150
Resistencia termal, empalme-a-ambiente:
78 qC/W
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
LISTA COMÚN
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MÓDULO |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | EN | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | EN | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | INMERSIÓN |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINEAR | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| P0926NL | 8560 | PULSO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MÓDULO |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | COMPENSACIÓN |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | P.M. | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MÓDULO |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MÓDULO |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MÓDULO |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | EN | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MÓDULO |
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MÓDULO |
| PC357N1TJ00F | 10000 | SOSTENIDO | 16+ | COMPENSACIÓN |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MÓDULO |
| 2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MÓDULO |
| LNK364PN | 4211 | PODER | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MÓDULO |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MÓDULO |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MÁXIMA | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEAR | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MÁXIMA | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MÁXIMA | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | EN | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | AUGE | 15+ | CREMALLERA |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | COMPENSACIÓN |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | ST | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | BORRACHÍN |
FDS4935BZ
MOSFET dual de PowerTrench del P-canal de 30 voltios
Características
x – 6,9 A, – 30 V. RDS (ENCENDIDO) = 22 m:
@ VGS = – 10 V RDS (ENCENDIDO) = 35 m:
@ VGS = – 4,5 V
x prolongó la gama de VGSS (– 25V) para los usos de la batería
diodo de la protección de x ESD (nota 3)
tecnología del foso del alto rendimiento de x para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
poder más elevado de x y capacidad de dirección actual
Descripción general
Este MOSFET del P-canal se ha diseñado específicamente para mejorar la eficacia total de los convertidores de DC/DC usando reguladores síncronos o convencionales de la transferencia PWM, y cargadores de batería.
Estos MOSFETs ofrecen una transferencia más rápida y una carga más baja de la puerta que otros MOSFETs con especificaciones comparables del RDS (ENCENDIDO). El resultado es los diseños de la fuente de un alimentación del MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso en los mismos de alta frecuencia), y de DC/DC con una eficacia total más alta.
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