Triac sensibles de Alternistor del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac del mosfet ic del poder Q6012LH5
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Triac de Alternistor (6 A a 40 A)
Descripción general
Teccor ofrece alternistors bidireccionales con grados actuales a partir del 6 A a 40 A y voltajes a partir de 200 V a 1000 V como parte de las líneas generales de Teccor de tiristores. El alternistor de Teccor se diseña específicamente para los usos que cambian cargas altamente inductivas. Un microprocesador especial ofrece el mismo funcionamiento como paralelo inverso atado con alambre de dos tiristores (SCR) (continuamente), proporcionando un mejor comportamiento de la vuelta-apagado que un triac estándar. Un alternistor se puede accionar de un bloqueo al estado de la conducción para cualquier polaridad del voltaje ca aplicado con modos de funcionamiento en los cuadrantes I, II, e III.
Esta nueva construcción del microprocesador proporciona dos eléctricamente estructuras separadas del SCR, proporcionando características aumentadas de dv/dt mientras que conserva las ventajas de un dispositivo monopastilla.
Todos los alternistors vidrio-han apaciguado empalmes para asegurar estabilidad a largo plazo de la confiabilidad y del parámetro. Los empalmes vidrio-apaciguados de Teccor ofrecen una barrera confiable contra la contaminación del empalme.
El paquete del TO-218X de Teccor se diseña para la capacidad powerhandling pesada, constante. Ofrece los terminales grandes del ojeteador para la facilidad de soldar el alambre pesado de la transmisión en circuito del indicador. Todos los paquetes aislados tienen un grado estándar del voltaje del aislamiento de 2500 V rms.
Las variaciones de los dispositivos cubiertos en esta hoja de datos están disponibles para crean usos para requisitos particulares. Consulte la fábrica para más información.
Características
• Alta capacidad de la sobretensión
• empalmes Vidrio-apaciguados
• Aislamiento de la CA de 2500 V para los paquetes de L, de J, y de K
• Alto dv/dt que conmuta
• Alto dv/dt estático
Condiciones de prueba
di/dt — Tarifa-de-cambio máximo de la corriente del en-estado
dv/dt — Tarifa-de-subida crítica de voltaje del apagado-estado en la puerta clasificada de VDRM abierta
dv/dt (c) — Tarifa-de-subida crítica de voltaje de la conmutación en VDRM clasificado y el TIC (RMS) que conmutan di/dt las = 0,54 TIC clasificadas (RMS) /ms; puerta unenergized
I 2 t — En-estado (sin repetición) de la oleada del RMS actual para el período del ms 8,3 para fundirse
IDRM — Puerta actual del apagado-estado máximo abierta; VDRM = valor clasificado máximo
IGT — Disparador de la puerta de DC actual en cuadrantes de funcionamiento específicos; VD de = C.C. 12 V
IGTM — Corriente máxima del disparador de la puerta
IH — Corriente de tenencia (DC); puerta abierta
LAS TIC (RMS) — Ángulo actual de la conducción del en-estado del RMS de 360°
ITSM — Oleada máxima del uno-ciclo
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) — Disipación de poder media de la puerta
PGM — Disipación de poder máxima de la puerta; ≦ IGTM DE IGT
tgt — Tiempo de abertura controlado de la puerta; IGT = 300 mA con 0,1 veces de subida de los µs
VDRM — Voltaje de bloqueo repetidor del pico
VGT — Voltaje de disparador de la puerta de DC; VD de = C.C. 12 V
VTM — Voltaje máximo del en-estado en la corriente clasificada máxima del RMS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC