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El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet

El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet
El módulo del mosfet del poder MRF9030GNR1 acciona los TRANSISTORES de EFECTO de CAMPO del PODER del RF del transistor del Mosfet
fabricante:
Fabricante
Descripción:
GAVIOTA del Mosfet TO-270-2 del RF
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
68 VDC
Voltaje de la Puerta-fuente:
– 0,5, +15 VDC
Gama de temperaturas de almacenamiento:
– °C 65 a +200
Temperatura de empalme de funcionamiento:
200 °C
Capacitancia entrada:
49,5 PF
Capacitancia de salida:
26,5 PF
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

La línea del MOSFET del submicron del RF

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO DEL PODER DEL RF

MOSFETs laterales del Aumento-modo del canal N

945 megaciclos, 30 W, 26 MOSFETs DE BANDA ANCHA del PODER del RF del CANAL N del LATERAL de V

Diseñado para los usos comerciales e industriales de banda ancha con frecuencias hasta 1,0 gigahertz. La alta ganancia y el funcionamiento de banda ancha de estos dispositivos los hacen ideales para la grande-señal, usos del amplificador de la común-fuente en el equipo de la estación base de 26 voltios.

• Dos típicos Tone Performance en 945 megaciclos, 26 voltios

De potencia de salida — 30 vatios de PEP

Aumento del poder — DB 19

Eficacia — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Protección integrada del ESD

• Diseñado para la llanura máxima de la fase del aumento y de la inserción

• Capaz de manejar el 10:1 VSWR, @ 26 VDC, 945 megaciclos, 30 vatios de CW de potencia de salida

• Estabilidad termal excelente

• Caracterizado con parámetros equivalentes de la impedancia de la Grande-señal de la serie

• En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 32 milímetros, carrete de 13 pulgadas.

GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje de la Dren-fuente VDSS 68 VDC
Voltaje de la Puerta-fuente VGS – 0,5, +15 VDC

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030R1

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

92

0,53

Vatios

W/°C

Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C MRF9030SR1

Reduzca la capacidad normal sobre 25°C

 Paladio

117

0,67

Vatios

W/°C
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg – 65 a +200 °C
Temperatura de empalme de funcionamiento TJ 200 °C

DIMENSIONES DEL PAQUETE

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
BFU710F 15000 15+ SOT-343
PIC16F526-I/SL 5193 MICROCHIP 16+ COMPENSACIÓN
LM810M3X-4.63 10000 NSC 15+ SOT-23-3
M95020-WMN6TP 10000 ST 16+ COMPENSACIÓN
M93S46-WMN6 4686 ST 10+ COMPENSACIÓN
MCT61 10000 FSC 16+ DIP-8
MAX809LEUR+T 10000 MÁXIMA 16+ BORRACHÍN
52271-2079 3653 MOLEX 15+ conector
ZVP3306FTA 9000 ZETEX 15+ SOT23
MBR10100G 15361 EN 16+ TO-220
NTR2101PT1G 38000 EN 16+ SOT-23
MBRD640CTT4G 17191 EN 16+ TO-252
NTR4501NT1G 38000 EN 15+ SOT-23
LM8272MMX 1743 NSC 15+ MSOP-8
NDT014 10000 FAIRCHILD 14+ SOT-223
LM5007MM 1545 NSC 14+ MSOP-8
NRF24L01+ 3840 NÓRDICO 10+ QFN
MI1210K600R-10 30000 ADMINISTRADOR 16+ SMD
A3144E 25000 ALLEGRO 13+ TO-92
MP3V5004DP 5784 FREESCALE 13+ COMPENSACIÓN

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