Transistor de fines generales del transistor PNP del Mosfet del poder BC807-25
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 300 mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
−50 V
voltaje del Colector-emisor:
−45 V
voltaje de la Emisor-base:
−5 V
Corriente de colector (DC):
−500 mA
corriente baja máxima:
−200 mA
Disipación de poder total:
250 mW
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| BZX84B5V1 | 2888 | EN | 16+ | SOT-23 |
| TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | TI | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | SEPT | 16+ | INMERSIÓN |
| MP1542DK-LF-Z | 2900 | P.M. | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
| IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | INMERSIÓN |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | MICROCHIP | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
| MUR1640CT | 2998 | EN | 16+ | TO-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
| 1N5359B | 3000 | EN | 14+ | DO-27 |
| 1N5819HW-7-F | 3000 | DIODOS | 14+ | SOD-123 |
| 2N7002W-7-F | 3000 | DIODOS | 16+ | SOT-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
| BD136 | 3000 | ST | 13+ | TO-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | EN | 14+ | SOT23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Transistor de fines generales de BC807 PNP
CARACTERÍSTICAS
• De gran intensidad (máximo 500 mA)
• Baja tensión (máximo 45 V).
USOS
• Transferencia y amplificación de fines generales.
Fig.1 simplificó el esquema (SOT23) y el símbolo.
DESCRIPCIÓN
Transistor de PNP en un paquete plástico SOT23.
NPN complementa: BC817.
FIJACIÓN
| PIN | DESCRIPCIÓN |
| 1 | base |
| 2 | emisor |
| 3 | colector |
VALORES LÍMITES
De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 134).
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MÍNIMO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
| VCBO | voltaje de la colector-base | emisor abierto | − | −50 | V |
| VCEO | voltaje del colector-emisor | base abierta; IC = −10 mA | − | −45 | V |
| VEBO | voltaje de la emisor-base | colector abierto | − | −5 | V |
| IC | corriente de colector (DC) | − | −500 | mA | |
| ICM | corriente de colector máxima | − | −1 | ||
| IBM | corriente baja máxima | − | −200 | mA | |
| Ptot | disipación de poder total | °C del ≤ 25 de Tamb; nota 1 | − | 250 | mW |
| Tstg | temperatura de almacenamiento | −65 | +150 | °C | |
| Tj | temperatura de empalme | − | 150 | °C | |
| Tamb | temperatura ambiente de funcionamiento | −65 | +150 | °C |
El transistor de la nota 1. montó en un tablero del circuito impreso FR4.
ESQUEMA DEL PAQUETE
Paquete montado superficial plástico; 3 ventajas SOT23
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