| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ |
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TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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Transistores de poder BD135 Silicon NPN mosfet de poder de alto voltaje mosfet de poder dual
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TRANS NPN 45V 1.5A SOT32-3
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Transistores de poder duales del silicio NPN del mosfet del poder del mosfet del poder de alto voltaje de TIP31C
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Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 3 un 3MHz 40 W a través del agujero TO-220
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5 transistores de un poder actuales bajos de BD911 3 Pin Transistor Silicon NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
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2SD1047 componentes electrónicos del proveedor de China de los transistores de poder del silicio NPN nuevos y originales
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
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Transistores de poder del silicio NPN del transistor del Mosfet del poder 2SC2073 con el paquete TO-220
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 1.5 W Through Hole TO-220AB
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Transistor de poder del silicio NPN del ISC de 2SC4546 3 Pin Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 10MHz 30 W Through Hole TO-220F
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El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP
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Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W a través del agujero TO-220
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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
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Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
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Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW
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Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW del RF
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Transistores de poder del silicio NPN de TIP35C que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
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Transistores de poder complementarios del plástico del silicio de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor de BD243C TO-220
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
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Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943
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Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P(L)
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Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C
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Bipolar (BJT) Transistor
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Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP
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Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W a través del agujero MT-200
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Transistor planar epitaxial de 2SC4883A 3 Pin Transistor Silicon NPN, transistor del smd del npn
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 120MHz 20 W Through Hole TO-220F
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El silicio 1.5A plástico SOT-23 NPN de MMSS8050-H-TP encapsula el transistor
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Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 un 100MHz soporte superficial SOT-23 de 625 mW
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Transistores de poder complementarios del silicio del transistor del módulo del Mosfet del poder de TIP41C
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Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 6 A 65 W Orificio pasante TO-220
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Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN
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Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 600 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
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Silicio nuevo y original NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
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BCX56-16,147 Power Mosfet IC Transistor NPN SILICIO PLANAR TRANSISTORES DE POTENCIA MEDIA
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 1.25 W Surface Mount SOT-89
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Transistor de poder más elevado de Pin Transistor BD249C-S NPN de la original 3 25A 125W
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
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Transistor planar complementario del silicio NPN RF de los circuitos integrados de la electrónica de BFQ67W SOT-23
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Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW del RF
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Transistores de conmutación NPN del transistor Mosfet del poder 2N2222A INTERRUPTORES DE ALTA VELOCIDAD
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-18
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Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
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Transistores del mosfet del poder más elevado de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementaria
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Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un soporte superficial DPAK de 25MHz 20 W
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TRANSISTORES DE POTENCIA DE PLÁSTICO NPN/PNP NUEVOS Y ORIGINALES BDX34C
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220
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Transistores de poder del silicio del módulo del mosfet del poder MJL21193 MJL21194
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
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Perno del zócalo 3 del transistor TIP105, silicio PNP DarliCM GROUPon Power Transistors
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Transistores de poder complementarios TIP2955 que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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Mosfet complementario de la energía baja del mosfet del poder de MJD122G que cambia DarliCM GROUPon Power Transistor
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
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Transistores de alto voltaje del silicio del transistor NPN del Mosfet del poder de MMBTA42LT1G
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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Transistor de fines generales del transistor NPN del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de BC548B
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Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 500 mW a través del agujero TO-92
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Transistor de poder fresco del transistor MOS™ del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn SPA04N60C3XKSA1
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N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
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Silicio 3 Pin Transistor, tiristor bidireccional BTA16-800BW3G de los triac del triodo
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TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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¿CANAL N MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de STP20NM50FP? MOSFET del poder
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N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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Transistores de poder del silicio del MOSFET del poder de HEXFET IRF3205PBF
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N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Configuración de los transistores de poder del silicio del MOSFET IRF740PBF del poder sola
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N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Módulo Mosfet de potencia BD439 Transistor NPN de silicona de potencia media de plástico
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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Transistor Mosfet TIP102 TRANSISTORES DARLICM GROUPON DE POTENCIA DE SILICIO COMPLEMENTARIOS
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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Transferencia de BD681 NPN DarliCM GROUPon Power Transistors Medium Power
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Transistor bipolar (BJT) NPN - DarliCM GROUPon 100 V 4 A 40 W a través del agujero SOT-32-3
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Mosfet complementario del poder del transistor del Mosfet del poder de MJE15032G MJE15033G
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Transistor bipolar (BJT) NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W a través del agujero TO-220
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Transistores de fines generales NPN IC eléctrico del silicio de BC846B
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Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
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Transistores plásticos del paquete de 2SC2482 TO-92 (NPN), transistor de fines generales de Npn
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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Transistor del Mosfet del poder BCV49, corriente de colector de DarliCM GROUPon Transistors High del silicio de NPN
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Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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Mosfet PLANAR del poder del SILICIO de ZTX653 que cambia NPN (TRANSISTORES de PODER MEDIO)
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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2SC4793 (F, M) 3 Pin Transistor Chip Electronics ICs Chip Integarted Circuts
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
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Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 8 un soporte superficial TP-FA de 330MHz 1 W
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Tipo difundido triple del silicio NPN del transistor del Mosfet del poder del mosfet ic del poder 2SC2229-Y (proceso del PCT)
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Transistor bipolar (BJT) NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 mW a través del agujero TO-92MOD
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