Transistor de alto voltaje MMBT5551 del amplificador de fines generales del silicio NPN
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 160 V 600 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 de 350 mW
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Bargain
Forma de pago:
T/T
Especificaciones
Descripción:
Transistores bipolares - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
TIPO:
Transistores bipolares - BJT
Nombre:
transistores
Número de parte:
MMBT5551
Paquete:
SOT-23-3
Pequeña orden:
Recepción
Punto culminante:
MMBT5551 High Voltage Transistor
,NPN Amplifier High Voltage Transistor
,NPN Silicon High Voltage Transistor
Introducción
SOT-23 - Transistor de poder y DarliCM GROUPons
Número de parte
BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551
Características eléctricas
|
Mfr. # |
MMBT5551 |
| Montaje de estilo | SMD/SMT |
| Polaridad del transistor | NPN |
| Configuración | Solo |
| Voltaje VCEO del emisor del colector máximo | 160 V |
| Voltaje bajo VCBO del colector | 180 V |
| Voltaje bajo VEBO del emisor | 6 V |
| Voltaje de saturación del Colector-emisor | 0,2 V |
| Corriente de colector máxima de DC | 0,6 A |
| Paladio - disipación de poder | 325 mW |
| Producto pie del ancho de banda del aumento | 300 megaciclos |
| Temperatura de funcionamiento mínima | - 55 C |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
| Colector de DC/minuto bajo del hfe del aumento | 80 en 10 mA, 5 V |
| HFE del aumento actual de DC máximo | 250 en 10 mA, 5 V |
| Tipo de producto | BJTs - transistores bipolares |
Características eléctricas (en TA =°C 25 salvo especificación de lo contrario)
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