Transistores de poder nuevos y originales del silicio PNP, paquete 2SB861 de TO-220C
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
Paquete:
Paquete de TO-220C
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introducción
Transistores de poder del silicio PNP 2SB861
DESCRIPCIÓN
·Con el paquete de TO-220C
·Complemento para mecanografiar 2SD1138
USOS
·Salida vertical de baja fricción de la desviación del color TV del amplificador de potencia
FIJACIÓN
| PIN | DESCRIPCIÓN |
| 1 | Emisor |
| 2 |
Colector; conectado con montaje de la base |
| 3 | Base |
¿Grados máximos absolutos (Ta=25? ℃)
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | VALOR | UNIDAD |
| VCBO | voltaje de la Colector-base | Emisor abierto | -200 | V |
| VCEO | voltaje del Colector-emisor | Base abierta | -150 | V |
| VEBO | voltaje de la Emisor-base | Colector abierto | -6 | V |
| IC | Corriente de colector | -2 | ||
| ICP | Actual-pico del colector | -5 | ||
| PC | Disipación de poder del colector | ¿TA =25? ℃ | 1,8 | W |
| ¿TC =25? ℃ | 30 | |||
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ¿? ℃ | |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -45~150 | ¿? ℃ |
ESQUEMA DEL PAQUETE
El esquema Fig.2 dimensiona (tolerancia unindicated: ±0.10 milímetro)
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