Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Mosfet complementario plástico del poder de DarliCM GROUPon, transistores de poder del silicio 2N6038
Los transistores de poder complementarios plásticos del silicio de DarliCM GROUPon se diseñan para el amplificador de fines generales y los usos que cambian low−speed.
• Alto aumento actual de DC — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 ADC
• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor — @ mAdc 100
VCEO (sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidad actual polarizada hacia adelante de la segunda avería IS/b = 1,5 ADC @ 25 VDC
• Construcción monolítica con los resistores incorporados del emisor de base a la multiplicación de LimitELeakage
• Alto paquete plástico del ratio TO-225AA del Funcionamiento-a-coste del ahorro de espacio
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
|
Voltaje 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO |
40 60 80 |
VDC |
|
Voltaje 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCBO |
40 60 80 |
VDC |
| Voltaje de Emitter−Base | VEBO | 5,0 | VDC |
|
Corriente de colector Continuo Pico |
IC |
4,0 8,0 |
ADC Apk |
| Corriente baja | IB | 100 | mAdc |
|
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C |
Paladio |
40 320 |
W mW/°C |
|
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C |
Paladio |
1,5 12 |
W mW/°C |
| Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | TJ, Tstg | – 65 a +150 | °C |
| Característica | Símbolo | Máximo | Unidad |
| Resistencia termal, Junction−to−Case | RJC | 3,12 | °C/W |
| Resistencia termal, Junction−to−Ambient | RJA | 83,3 | °C/W |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
| Característica | Símbolo | Minuto | Máximo | Unidad |
| DE CARACTERÍSTICAS | ||||
|
Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039 |
VCEO (sus) |
40 60 80 |
-- -- -- |
VDC |
|
Corriente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICEO |
-- -- -- |
100 100 100 |
UA |
|
Corriente de Collector−Cutoff (VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034 (VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039 |
ICEX |
-- -- -- -- -- -- |
100 100 100 500 500 500 |
UA |
|
Corriente de Collector−Cutoff (VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039 |
ICBO |
-- -- -- |
0,5 0,5 0,5 |
mAdc |
| Corriente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | 2,0 | mAdc |
| EN CARACTERÍSTICAS | ||||
|
Aumento actual de DC (IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) (IC = 4,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) |
hFE |
500 750 100 |
-- 15.000 -- |
-- |
|
Voltaje de saturación de Collector−Emitter (IC = 2,0 ADC, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) |
VCE (se sentó) |
-- -- |
2,0 3,0 |
VDC |
|
Voltaje de saturación de Base−Emitter (IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40) |
VBE (se sentó) | -- | 4,0 | VDC |
|
Base−Emitter en voltaje (IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC) |
VBE (encendido) | -- | 2,8 | VDC |
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS | ||||
|
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megaciclos) |
|hfe| | 25 | -- | -- |
|
Capacitancia de salida (VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megaciclos) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039 |
Mazorca |
-- -- |
200 100 |
PF |
Los *Indicates JEDEC registraron datos.
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC