Configuración de los transistores de poder del silicio del MOSFET IRF740PBF del poder sola
npn smd transistor
,silicon power transistors
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proporcionan
diseñador con la mejor combinación de transferencia rápida,
diseño construido sólidamente del dispositivo, en-resistencia baja y
rentabilidad.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos
usos comercial-industriales en la disipación de poder
niveles a aproximadamente 50 W. La resistencia termal baja
y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuye a su ancho
aceptación en la industria.
°C TÍPICO de las CARACTERÍSTICAS 25, a menos que se indicare en forma diferente
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC