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¿CANAL N MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de STP20NM50FP? MOSFET del poder

¿CANAL N MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de STP20NM50FP? MOSFET del poder
¿CANAL N MDmesh del transistor del Mosfet del poder del transistor de poder del darliCM GROUPon del npn de STP20NM50FP? MOSFET del poder
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gate-Source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Operating Junction Temperature:
-65 to 150 °C
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Thermal Resistance Junction-amb Max:
62.5 °C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose:
300 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introducción


STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP

CANAL N 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - ² PAK del ² PAK-I de TO220/FP-D
MOSFET Zener-protegido de SuperMESH™

Características generales

Tipo VDSS (@Tj máximo) RDS (encendido) Identificación

STB20NM50

STB20NM50-1

STP20NM50

STP20NM50FP

550 V

550 V

550 V

550 V

<0>

<0>

<0>

<0>

20 A

20 A

20 A

20 A

■ALTAS CAPACIDADES de dv/dt Y de la AVALANCHA
■LA AVALANCHA 100% PROBÓ
■CARGA ENTRADA BAJA DE LA CAPACITANCIA Y DE LA PUERTA
■RESISTENCIA ENTRADA BAJA DE PUERTA

Descripción
El MDmesh™ es una nueva tecnología revolucionaria del MOSFET que asocia el proceso múltiple del dren a la disposición de PowerMESH™horizontal de la compañía. El producto resultante tiene una en-resistencia baja excepcional, impresionante alto dv/dt y funcionamientos excelentes del característica de la avalancha y dinámicos.

Usos
La familia de MDmesh™ es muy conveniente para la densidad de poder cada vez mayor de convertidores de alto voltaje permitiendo eficacias del andhiher de la miniaturización del sistema.

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
² PAK DEL ² PAK/I DE TO-220/D TO-220FP
VGS Voltaje de la Puerta-fuente ± 30 V
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 25°C 20 20 (nota 3)
Identificación Drene actual (continuo) en TC = 100°C 12,6 12,6 (nota 3)
Nota 2 de IDM Corriente del dren (pulsada) 80 80 (nota 3)
PTOT Disipación total en TC = 25°C 192 45 W
Reducir la capacidad normal de factor 1,2 0,36 W/°C
nota 1 de dv/dt Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 15 V/ns
VISO El aislamiento soporta Volatge (DC) - 2000 V

Tj

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

 -65 a 150 °C


Paquete


Diagrama esquemático interno



Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LM4652TF 1435 NSC 13+ ZIP-15
PIC24FJ64GB106-I/PT 4118 MICROCHIP 16+ TQFP
LM4651N 1543 NSC 14+ DIP-28
PC3H711NIP 30000 SOSTENIDO 16+ COMPENSACIÓN
PC3Q67QJ000F 11500 SOSTENIDO 16+ COMPENSACIÓN
MC68302PV16C 3628 MOT 10+ QFP
LMH0356SQE 437 TI 15+ WQFN-48
LMH0036SQE 1226 NSC 12+ LLP
CY7B1399B-15VC 500 CYPRESS 01+ SOJ
MAX3232EEUE+T 11450 MÁXIMA 16+ TSSOP
PIC18F66K22-I/PT 4308 MICROCHIP 14+ QFP
PESD5V0S1BA 25000 16+ CÉSPED
NUP5150MUTBG 5340 EN 16+ QFN
CS4954-CQZR 2476 CIRRO 10+ TQFP-48
MIC2951-02YM 6460 MICREL 11+ COMPENSACIÓN
MUR1620CTG 10000 EN 16+ TO-220
MKL25Z128VLK4 1070 FREESCALE 14+ LQFP
BD82H61 SLJ4B 340 INTEL 13+ BGA
MBR0540T1G 20000 EN 15+ SOD-123
SAP16PO 300 SANKEN 06+ TO-3P
M48T02-120PC1 3607 ST 15+ INMERSIÓN




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