Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122

Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122

Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122
Poder complementario DarliCM GROUPon Transistors del silicio del transistor del Mosfet del poder TIP122
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
voltaje de la Emisor-base:
5 V
Collector Current:
5 A
Collector Peak Current:
8 A
Base Current:
0.1 A
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introducción

TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORES COMPLEMENTARIOS DEL PODER DARLICM GROUPON DEL SILICIO

■STMicroelectronics PREFIRIÓ SALESTYPES

DESCRIPCIÓN

Los TIP120, los TIP121 y los TIP122 son transistores de poder de la Epitaxial-base NPN del silicio en la configuración monolítica de DarliCM GROUPon montada en el paquete plástico de Jedec TO-220. Intented para el uso en usos lineares y que cambian del poder. Los tipos complementarios de PNP son TIP125, TIP126 y TIP127, respectivamente.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

Símbolo Parámetro Valor Unidad
NPN TIP120 TIP121 TIP122
PNP TIP125 TIP126 TIP127
VCBO Voltaje de la Colector-base (IE = 0) 60 80 100 V
VCEO Voltaje del Colector-emisor (IB = 0) 60 80 100 V
VEBO DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO (IC = 0) 5 V
IC Corriente de colector 5
ICM Corriente máxima del colector 8
IB Corriente baja 0,1
Ptot

Disipación total en el ℃ del ≤ 25 de Tcase

℃ del ≤ 25 de Tamb

65

2

 W
Tstg Temperatura de almacenamiento -65 a 150 ℃
Tj Temperatura de empalme de Max. Operating 150 ℃

TO-220 DIAGRAMA ESQUEMÁTICO INTERNO

PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.