Transistor de poder más elevado de Pin Transistor BD249C-S NPN de la original 3 25A 125W
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor de poder más elevado de Pin Transistor BD249C NPN de la original 3 25A 125W
Transistor NPN BD249C de NPN High−Power
los transistores del high−power están para el amplificador de potencia del general−purpose y los usos que cambian.
Características
• Grados del ESD: Modelo de máquina, C; De > modelo del cuerpo humano 400 V, 3B; > 8000 V
• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones
• El paquete de Pb−Free es Available*
GRADOS MÁXIMOS
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje del emisor del − del colector | Vceo | 100 | VDC |
| Voltaje bajo del − del colector | Vcbo | 100 | VDC |
| Voltaje bajo del − del emisor | Vebo | 5,0 | VDC |
| Pico continuo del − de la corriente de colector (nota 1) | Ic |
25 40 |
ADC Apk |
| − actual bajo continuo | Ib | 5,0 | ADC |
| La disipación total del dispositivo @ TC = 25°C reduce la capacidad normal sobre 25°C | Paladio |
125 1,0 |
W W/°C |
| Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento |
TJ, Tstg |
– 65 a +150 | °C |
| Carga inductiva Unclamped | Esb | 90 | mJ |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
| Característica | Símbolo | Máximo | Unidad |
|
Resistencia termal, Junction−to−Case |
RøJC | 1,0 | °C/W |
|
Resistencia termal, Junction−to−Ambient |
RøJA | 35,7 | °C/W |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo.
Los grados máximos son grados de la tensión solamente. Operación funcional
sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica.
Exposición extendida a las tensiones sobre recomendado
Las condiciones de funcionamiento pueden afectar a confiabilidad del dispositivo. 1. pulso
Prueba: Anchura de pulso 300 s, ciclo de trabajo 2,0%. *
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC