Transistores de poder BD135 Silicon NPN mosfet de poder de alto voltaje mosfet de poder dual
Especificaciones
Collector−Emitter Voltage:
45 Vdc
Collector−Base Voltage:
45 Vdc
Emitter−Base Voltage VEBO:
5.0 Vdc
Collector Current IC:
1.5 Adc
Base Current IB:
0.5 Adc
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
Array
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Imagen | parte # | Descripción | |
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Común:
MOQ:
50pcs