Transistores de poder del silicio PNP (usos) del amplificador de potencia 2SA1943
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Orificio pasante TO-3P(L)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
-230 V
Collector-emitter voltage:
-230 V
voltaje de la Emisor-base:
-5 V
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introducción
Transistores de poder del silicio PNP 2SA1943
DESCRIPCIÓN
·Con el paquete de TO-3PL
·Complemento para mecanografiar 2SC5200
USOS
·Usos del amplificador de potencia
·Recomendado para 100W de alta fidelidad
etapa de la salida del amplificador de la frecuencia de audio
FIJACIÓN
| PIN | DESCRIPCIÓN |
| 1 | Emisor |
| 2 |
Colector; conectado con montaje de la base |
| 3 | Base |
CARACTERÍSTICAS Tj=25℃ salvo especificación de lo contrario
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDAD |
| CEO DE V (BR) | voltaje de avería del Colector-emisor | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | voltaje de saturación del Colector-emisor | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
| VBE | Voltaje del emisor de base | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
| ICBO | Corriente de atajo de colector | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | Corriente del atajo del emisor | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | Aumento actual de DC | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | Aumento actual de DC | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
| pie | Frecuencia de la transición | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | Megaciclo | ||
| MAZORCA | Capacitancia de salida del colector | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | PF |
clasificaciones del hFE-1
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
ESQUEMA DEL PAQUETE
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