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chips CI electrónicos

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52991-0708 las alturas de amontonamiento bajan la versión del tamaño del circuito, chips CI de la electrónica

52991-0708 las alturas de amontonamiento bajan la versión del tamaño del circuito, chips CI de la electrónica

Receptáculo del conector de 70 posiciones, oro de centro del soporte de la superficie de contactos d
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BUK7611-55B, 118 componentes electrónicos del NIVEL de IC TRENCHMOS-TM nuevos y originales del proveedor ESTÁNDAR del FET China

BUK7611-55B, 118 componentes electrónicos del NIVEL de IC TRENCHMOS-TM nuevos y originales del proveedor ESTÁNDAR del FET China

Soporte D2PAK de la superficie 157W (Tc) del canal N 55 V 75A (Tc)
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Rectificador plástico ultrarrápido de chip de ordenador de MURS160-E3/52T del soporte superficial electrónico del tablero

Rectificador plástico ultrarrápido de chip de ordenador de MURS160-E3/52T del soporte superficial electrónico del tablero

Soporte superficial DO-214AA (SMB) del diodo 600 V 2A
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Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor TO-247 de IRFP2907PBF

Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor TO-247 de IRFP2907PBF

Canal N 75 V 209A (Tc) 470W (Tc) a través del agujero TO-247AC
Fabricante
Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor TO-247 de IRFB4227PBF

Proveedor de oro de China IC de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del transistor TO-247 de IRFB4227PBF

Canal N 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06

MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06

Canal N 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220-3
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SCR sensibles del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac de S6025L 1-70 amperios de PUERTA NO SENSIBLE

SCR sensibles del transistor del Mosfet del poder de la puerta de los triac de S6025L 1-70 amperios de PUERTA NO SENSIBLE

El SCR 600 V 25 una recuperación estándar a través del agujero TO-220 aisló la etiqueta
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Transistores de poder duales del silicio NPN del mosfet del poder del mosfet del poder de alto voltaje de TIP31C

Transistores de poder duales del silicio NPN del mosfet del poder del mosfet del poder de alto voltaje de TIP31C

Transistor bipolar (BJT) NPN 100 V 3 un 3MHz 40 W a través del agujero TO-220
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TIP117 mosfet dual del poder del mosfet del poder de alto voltaje del silicio PNP DarliCM GROUPon Power Transistors

TIP117 mosfet dual del poder del mosfet del poder de alto voltaje del silicio PNP DarliCM GROUPon Power Transistors

Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 A 50 W a través del agujero TO-220
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Densidad de poder más elevado de DR127-6R8-R, eficacia alta, inductores protegidos

Densidad de poder más elevado de DR127-6R8-R, eficacia alta, inductores protegidos

el µH 6,8 protegió la base del tambor, inductor Wirewound 7,34 un 11.6mOhm no estándar
Fabricante
ADXL335BCPZ pequeño, energía baja, chips CI programados del acelerómetro

ADXL335BCPZ pequeño, energía baja, chips CI programados del acelerómetro

Acelerómetro X, Y, Z AXIS ±3g 1.6kHz (X, Y), 550Hz (z) 16-LFCSP-LQ (4x4)
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Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

Soporte 8-SOIC de la superficie 2.5W (TA) del canal N 30 V 14.5A (TA)
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Placa de circuito Chips Programmed Integrated Digital DS1821S del ordenador

Placa de circuito Chips Programmed Integrated Digital DS1821S del ordenador

Sensor de temperatura Digital, -55°C local ~ 125°C 8 b 8-SOIC
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Aisladores del Patio-canal con el convertidor integrado ADUM6402CRWZ de DC-a-DC

Aisladores del Patio-canal con el convertidor integrado ADUM6402CRWZ de DC-a-DC

Canal de fines generales 25Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0,295", anchura del aislador 5000Vrms 4 de Dig
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SMP50-180 Trisil para la gama bidireccional del voltaje de la protección de la palanca de la protección■ del equipo de telecomunicaciones a partir de 62 V a 320 V

SMP50-180 Trisil para la gama bidireccional del voltaje de la protección de la palanca de la protección■ del equipo de telecomunicaciones a partir de 62 V a 320 V

180V Apagado-estado 150 un tiristor DO-214AC, SMA del Ipp TV
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VOLTAJE ACTUAL 1.0Ampere del RECTIFICADOR de la BARRERA de SS14 SCHOTTKY 20 a 100 voltios

VOLTAJE ACTUAL 1.0Ampere del RECTIFICADOR de la BARRERA de SS14 SCHOTTKY 20 a 100 voltios

Diodo 40 V 1A Montaje en superficie DO-214AC (SMA)
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General superficial semiconductor SS34-E3/57T de Vishay del rectificador de la barrera de Schottky del soporte

General superficial semiconductor SS34-E3/57T de Vishay del rectificador de la barrera de Schottky del soporte

Fabricante
La placa de circuito de ADT2-1T+ salta SOP-6 IC original Chip Original Electronics Components

La placa de circuito de ADT2-1T+ salta SOP-6 IC original Chip Original Electronics Components

Balún 400kHz ~ 450MHz 1:2 6-SMD, ventajas planas del RF
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Componentes originales del circuito integrado de los diodos Zener de 1N4756A 1W

Componentes originales del circuito integrado de los diodos Zener de 1N4756A 1W

Diodo Zener 47 V 1 W el ±5% a través del agujero DO-41
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La placa de circuito de fines generales 4N25VM salta los acopladores ópticos del fototransistor 6-Pin

La placa de circuito de fines generales 4N25VM salta los acopladores ópticos del fototransistor 6-Pin

Transistor del aislador óptico con el canal bajo 6-DIP de la salida 4170Vrms 1
Fabricante
La placa de circuito de AO3400A salta el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

La placa de circuito de AO3400A salta el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Soporte SOT-23-3 de la superficie 1.4W (TA) del canal N 30 V 5.7A (TA)
Fabricante
Componente electrónico de AQV259A ÉL tipo (de la alta - economía de la función) [1-Channel (tipo de la forma A)]

Componente electrónico de AQV259A ÉL tipo (de la alta - economía de la función) [1-Channel (tipo de la forma A)]

SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 6-SMD (0,300", 7.62m m)
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La placa de circuito de AQY282SX salta el tipo de GU (uso general) [1, (forma A) 4, tipo 8-Pin] diversión 2-Channel

La placa de circuito de AQY282SX salta el tipo de GU (uso general) [1, (forma A) 4, tipo 8-Pin] diversión 2-Channel

SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 4-SOP (0,173", 4.40m m)
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Componentes electrónicos originales del diodo de transferencia de BAS16LT1G, transistor integrado

Componentes electrónicos originales del diodo de transferencia de BAS16LT1G, transistor integrado

Diodo 100 V 200mA Montaje en superficie SOT-23-3 (TO-236)
Fabricante
Componente electrónico del transistor de fines generales de BC848B NPN de poca intensidad

Componente electrónico del transistor de fines generales de BC848B NPN de poca intensidad

Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
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Planar epitaxial del Si del soporte de Chips Surface de la placa de circuito de los transistores BCP55

Planar epitaxial del Si del soporte de Chips Surface de la placa de circuito de los transistores BCP55

Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
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Placa de circuito (DUAL) Chips Electronic Components de los DIODOS de la BARRERA de BAT54S SCHOTTKY

Placa de circuito (DUAL) Chips Electronic Components de los DIODOS de la BARRERA de BAT54S SCHOTTKY

Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 30
Fabricante
Integrados de encargo al por mayor de los circuitos de China de los transistores de fines generales de BC847BLT1G

Integrados de encargo al por mayor de los circuitos de China de los transistores de fines generales de BC847BLT1G

Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
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ABC2-10.000MHZ-D4 Q-T Circuit Board Chips Low Frequency, los componentes electrónicos originales del ic saltan

ABC2-10.000MHZ-D4 Q-T Circuit Board Chips Low Frequency, los componentes electrónicos originales del ic saltan

10 megaciclos ±50ppm 18pF cristalino 45 ohmios de 4-SMD, ninguna ventaja
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Componentes de fines generales del circuito integrado de encargo del transistor de BC848B NPN

Componentes de fines generales del circuito integrado de encargo del transistor de BC848B NPN

Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
Fabricante
Placa de circuito eléctrica del SOPORTE PNP de BC858B del TRANSISTOR SUPERFICIAL del SILICIO, ic programable

Placa de circuito eléctrica del SOPORTE PNP de BC858B del TRANSISTOR SUPERFICIAL del SILICIO, ic programable

Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
Fabricante
MOSFET del poder del transistor de BSS84LT1G componentes electrónicos del proveedor de 130 mA, de 50 V China nuevos y originales

MOSFET del poder del transistor de BSS84LT1G componentes electrónicos del proveedor de 130 mA, de 50 V China nuevos y originales

Soporte SOT-23-3 (TO-236) de la superficie 225mW (TA) del P-canal 50 V 130mA (TA)
Fabricante
Componentes de la electrónica de ACS712ELCTR-30 A-T Circuit Board Chips Ceramic Surface Mount SMD

Componentes de la electrónica de ACS712ELCTR-30 A-T Circuit Board Chips Ceramic Surface Mount SMD

Canal actual Hall Effect, lazo abierto 8-SOIC bidireccional (0,154", anchura del sensor 30A 1 de 3.9
Fabricante
BFG541 transistor NPN componentes electrónicos del proveedor de China de la banda ancha de 9 gigahertz nuevos y originales

BFG541 transistor NPN componentes electrónicos del proveedor de China de la banda ancha de 9 gigahertz nuevos y originales

Soporte superficial SC-73 del transistor NPN 15V 120mA 9GHz 650mW del RF
Fabricante
Componentes del circuito integrado del inductor del poder de VLS3012T-4R7M1R0 SMD

Componentes del circuito integrado del inductor del poder de VLS3012T-4R7M1R0 SMD

el µH 4,7 protegió el inductor Wirewound 1 un 156mOhm Max Nonstandard
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Componentes electrónicos del proveedor de la RETRANSMISIÓN PHOTOMOS SPNO China de AQY210EH nuevos y originales

Componentes electrónicos del proveedor de la RETRANSMISIÓN PHOTOMOS SPNO China de AQY210EH nuevos y originales

SPST-NO de estado sólido (1 forma A) 4-DIP (0,300", 7.62m m)
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Tipo de alta densidad Photocoupler del montaje de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de LTV-817S-B SOP-4

Tipo de alta densidad Photocoupler del montaje de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de LTV-817S-B SOP-4

El transistor del aislador óptico hizo salir 5000Vrms 1 el canal 4-SMD
Fabricante
Placa de circuito ic de PIN Photodiode del silicio de Schaltzeit del kurzer del sehr del mit del Silizium-PIN-Fotodiode de SFH229FA

Placa de circuito ic de PIN Photodiode del silicio de Schaltzeit del kurzer del sehr del mit del Silizium-PIN-Fotodiode de SFH229FA

Parte radial del fotodiodo 900nm 10ns 34°
Fabricante
Emisor infrarrojo de alta velocidad SFH4301 (950 nanómetro) en la placa de circuito radial ic del paquete de 3 milímetros

Emisor infrarrojo de alta velocidad SFH4301 (950 nanómetro) en la placa de circuito radial ic del paquete de 3 milímetros

T-1 del emisor 950nm 1.5V 100mA 16mW/sr @ 100mA 20° del infrarrojo (IR)
Fabricante
La alta corriente entrada de PC733H, CA entró el tipo tablero de PC del ic del Photocoupler

La alta corriente entrada de PC733H, CA entró el tipo tablero de PC del ic del Photocoupler

Transistor del aislador óptico con el canal bajo 6-DIP de la salida 5000Vrms 1
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2SA1298-Y, SI semiconductor integrado de los usos del amplificador de potencia que cambia del poder de baja fricción del uso

2SA1298-Y, SI semiconductor integrado de los usos del amplificador de potencia que cambia del poder de baja fricción del uso

Fabricante
El proveedor de MOC3021 SOP-6 IC Chips Electronics China Golden IC de alta velocidad PUEDE transmisor-receptor

El proveedor de MOC3021 SOP-6 IC Chips Electronics China Golden IC de alta velocidad PUEDE transmisor-receptor

El triac del aislador óptico hizo salir 5000Vrms 1 el canal 6-DIP
Fabricante
Microprocesadores de la placa de circuito de ACPL-247-500E, electrónica de IC del circuito integrado

Microprocesadores de la placa de circuito de ACPL-247-500E, electrónica de IC del circuito integrado

El transistor del aislador óptico hizo salir 3000Vrms 4 el canal 16-SO
Fabricante
Transistor planar complementario del silicio NPN RF de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de HCNW2611 DIP-8

Transistor planar complementario del silicio NPN RF de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado de HCNW2611 DIP-8

El colector abierto del aislador óptico 10MBd de la salida de la lógica, Schottky afianzó 5000Vrms 1
Fabricante
El diodo de rectificador de Schottky 15MQ040N mide la protección para los circuitos del tablero de PC

El diodo de rectificador de Schottky 15MQ040N mide la protección para los circuitos del tablero de PC

Soporte superficial SMA (DO-214AC) del diodo 40 V 2.1A
Fabricante
Diodo de barrera superficial de Schottky del soporte del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A

Diodo de barrera superficial de Schottky del soporte del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A

Soporte superficial común de array de diodos SOT-523 del ánodo 30 V 100mA de 1 par
Fabricante
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo

Parte radial del emisor 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50° del infrarrojo (IR), diámetro de 3m m
Fabricante
Rectificador ultrarrápido de la avalancha SMD del microprocesador BYG23M-E3/TR del circuito integrado del RF

Rectificador ultrarrápido de la avalancha SMD del microprocesador BYG23M-E3/TR del circuito integrado del RF

Soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo 1000 V 1.5A
Fabricante
Alta densidad del circuito del puente rectificador del diodo Zener de BZX84C33LT1G 18V

Alta densidad del circuito del puente rectificador del diodo Zener de BZX84C33LT1G 18V

Soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) del diodo Zener 33 V 225 mW el ±6%
Fabricante
Diodo de rectificador de silicio IC SMAJ12CA voltaje transitorio de Zener de 400 vatios

Diodo de rectificador de silicio IC SMAJ12CA voltaje transitorio de Zener de 400 vatios

19.9V soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo de la abrazadera 20.1A Ipp TV
Fabricante
49 50 51 52 53