Componente electrónico del transistor de fines generales de BC848B NPN de poca intensidad
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 30 V 100 mA 300MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
0.1USD
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
De poca intensidad:
máximo 100 mA
Baja tensión:
máximo 65 V
TA:
25
Características:
De poca intensidad
Descripción:
Fines generales de NPN
Tipo:
Transistor
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic chip board
Introducción
Transistor de fines generales de BC848B NPN
Características
Baja tensión (máximo 65 V).
De poca intensidad (máximo 100 mA).
|
Parámetro
|
Símbolo
|
BC846
|
BC847
|
BC848 |
Unidad
|
|
voltaje de la Colector-base
|
V CBO
|
80
|
50
|
30
|
V |
|
voltaje del Colector-emisor
|
CEO DE V
|
65 | 45 | 30 | V |
| voltaje de la Emisor-base | V EBO | 6 | 6 | 5 | V |
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