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Hogar > productos > chips CI electrónicos > MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06

MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06

MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06
MOSFETs del poder del canal N del transistor del Mosfet del poder de los transistores del mosfet del poder más elevado RFP70N06
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 60 V 70A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drene al voltaje de la fuente:
60 V
Drene para bloquear voltaje (RGS = 20kΩ):
60 V
Corriente continua del dren:
70 A
Puerta al voltaje de la fuente:
±20 V
Disipación de poder:
150 W
Factor que reduce la capacidad normal linear:
1,0 W/℃
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohmios, MOSFETs del poder del canal N

Éstos son MOSFETs del poder del canal N manufacturados usando el proceso de MegaFET. Este proceso, que utiliza los tamaños de característica que se acercan a los de los circuitos de LSI, da la utilización óptima del silicio, dando por resultado funcionamiento excepcional. Fueron diseñados para el uso en usos tales como recortes reguladores, convertidores que cambiaban, conductores del motor y conductores de la retransmisión. Estos transistores se pueden actuar directamente desde los circuitos integrados.

Tipo antes de desarrollo TA49007.

Características

• 70A, 60V

• rDS (encendido) = 0.014Ω

• Modelo compensado temperatura de PSPICE®

• Corriente máxima contra curva de la anchura de pulso

• Curva del grado de UIS (solo pulso)

• temperatura de funcionamiento 175oC

• Literatura relacionada

- TB334 “instrucciones para los componentes superficiales del soporte que sueldan a los tableros de PC”

Grados máximos absolutos TC = 25℃, salvo especificación de lo contrario

PARÁMETRO SÍMBOLO

RFG70N06, RFP70N06

RF1S70N06SM

 UNIDADES
Drene al voltaje de la fuente (nota 1) VDSS 60 V
Drene para bloquear voltaje (RGS = 20kΩ) (nota 1) VDGR 60 V
Corriente continua del dren Identificación 70
Corriente pulsada del dren (nota 3) IDM Refiera a la curva de la corriente de pico
Puerta al voltaje de la fuente VGS ±20 V
Solo grado de la avalancha del pulso EAS Refiera a la curva de UIS
Disipación de poder Paladio 150 W
Factor que reduce la capacidad normal linear 1,0 W/℃
Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento TJ, TSTG -55 a 175 ℃

Temperatura máxima para soldar

Ventajas en los 0.063in (1.6m m) del caso para 10s

El cuerpo del paquete para 10s, considera Techbrief 334

TL

Tpkg

300

260

℃

℃

PRECAUCIÓN: Las tensiones sobre ésas enumeradas en “grados máximos absolutos” pueden causar daño permanente al dispositivo. Esto es un único grado de la tensión y la operación del dispositivo en éstos o de ninguna otra condiciones sobre ésos indicados en las secciones operativas de esta especificación no se implica.

NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃

Símbolo

Empaquetado

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
LA4440 3620 SANYO 14+ SIP-14
LT1512CS8#PBF 5755 LINEAR 15+ SOP-8
LM75CIMMX-3 6880 NSC 14+ MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF 6896 LT 10+ BORRACHÍN
NTE4151PT1G 38000 EN 16+ SOT-523
CXD2480R 1277 SONY 15+ QFP
A8498SLJTR-T 3500 ALLEGRO 12+ SOP-8
A4950ELJTR-T 1000 ALLEGRO 13+ SOP-8
LMX2335LTMX 2297 NSC 14+ TSSOP-16
NCP1034DR2G 9200 EN 16+ COMPENSACIÓN
A3932SLDTR-T 2042 ALLEGRO 15+ TSSOP38
MM3Z4V7ST1G 25000 EN 16+ SOD-323
MCP1825S-3302E/DB 5134 MICROCHIP 16+ SOT-223
MMBZ5257BLT1G 20000 EN 16+ SOT-23
MBR120ESFT1G 38000 EN 16+ CÉSPED
L4931ABD33 3851 ST 14+ SOP8
NTE4153NT1G 30000 EN 16+ SOT-523
MPX5100DP 6099 FREESCALE 15+ SORBO
LMH1980MM/NOPB 1632 TI 15+ VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS 4498 MICROCHIP 13+ SSOP
LTC3450EUD 6714 LINEAR 15+ DFN

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