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Diodo de barrera superficial de Schottky del soporte del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial común de array de diodos SOT-523 del ánodo 30 V 100mA de 1 par
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Envío:
DHL, Fedex, TNT, el ccsme etc
Línea principal:
Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Gama de temperaturas:
℃ -65 a +125
Actual:
300 mA
Paquete de la fábrica:
3000PCS/Reel
Paquete:
SOT-23
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Diodo de barrera superficial de Schottky del soporte del diodo de rectificador de la electrónica 2A BAT54A

DIODO DE BARRERA SUPERFICIAL DE SCHOTTKY DEL SOPORTE DE BAT54A

¿Características?

?. Voltaje de abertura bajo

¿.? ¿Transferencia rápida?

Guardia Ring del empalme de .PN para el transeúnte

y protección del ESD

Datos mecánicos

Caso: ¿SOT-23, plástico moldeado?

¿Material del caso - clasificación 94V-0 del grado de la inflamabilidad de la UL?

Terminales: ¿Solderable por MIL-STD-202, método 208?

Polaridad: ¿Vea los diagramas abajo?

Peso: ¿0,008 gramos (aproximadamente)?

Sensibilidad de humedad: Llano 1 por J-STD-020A

Información el ordenar: Véase la página 3

Código de marcado: ¿Vea los diagramas abajo?

Grados máximos @ TA = ℃ 25 salvo especificación de lo contrario

Característica Símbolo Valor Unidad
Voltaje reverso repetidor máximo que trabaja voltaje de bloqueo máximo de DC del voltaje reverso

VRRM

VRWM

VR

30 V
Actual continuo delantero (nota 2) SI 200 mA
Corriente delantera máxima repetidor IFRM 300 mA
Sobretensión delantera @ t < 1=""> IFSM 600 mA
Disipación de poder (nota 2) Paladio 200 Mw
Resistencia termal, empalme al aire ambiente (nota 2) RJA 500 ℃/W
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento Tj, TSTG -65 a +125

Características eléctricas

@ TA = ℃ 25 salvo especificación de lo contrario

Característica Símbolo Minuto Tipo Máximo Unidad Condición de prueba
Voltaje de avería reverso V (BR) R 30 - - V ¿IRS = 100?
Voltaje delantero VF - -

240

320

400

500

1000

milivoltio

SI = 0.1mA

SI = 1mA

SI = 10mA

SI = 30mA

SI = 100mA

Corriente reversa de la salida Ir - - 2,0 UA VR = 25V
Capacitancia total Cr - - 10 PF VR = 1.0V, f = 1.0MHz
Tiempo de recuperación reversa Trr - - 5,0 nS

SI = 10mA a través

IR = 10mA a

¿IR = 1.0mA RL = 100?

Notas: 1. prueba del pulso de la duración corta usada para minimizar efecto de la uno mismo-calefacción.

2. Pieza montada en el tablero FR-4 con la disposición recomendada del cojín, que se puede encontrar en nuestra página web

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