Rectificador ultrarrápido de la avalancha SMD del microprocesador BYG23M-E3/TR del circuito integrado del RF
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Rectificador ultrarrápido de la avalancha SMD del microprocesador BYG23M-E3-TR del circuito integrado del RF
CARACTERÍSTICAS
• Paquete del perfil bajo
• Ideal para la colocación automatizada
• Empalme apaciguado de cristal
• Corriente reversa baja
• Alto voltaje reverso
• Tiempo de recuperación reversa ultrarrápido
• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020, SI pico máximo del °C 260
• °C de la inmersión 260 de la soldadura, 40 s
• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
USOS TÍPICOS
Para el uso en la rectificación de alta frecuencia y el uso que anda sin embragar en convertidores e inversores del modo que cambian para el consumidor, el ordenador, automotriz y telecomunicación.
DATOS MECÁNICOS
Caso: El epóxido de DO-214AC (SMA) resuelve el grado de la inflamabilidad de la UL 94V-0
Terminales: Las ventajas estañadas, solderable mates por el sufijo de J-STD-002 y de JESD22-B102 E3 para el grado de consumidor, resuelven la prueba de la barba de la clase 1A de JESD 201, sufijo HE3 para el alto grado de la confiabilidad (AEC Q101 calificado), resuelven la prueba de la barba de la clase 2 de JESD 201
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
GRADOS MÁXIMOS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | BYG23M | UNIDAD |
| Código de la marca del dispositivo | BYG23M | ||
| Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 1000 | V |
| Corriente delantera media TA = °C 65 | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 1,5 | |
|
Onda sinusoidal delantera máxima del ms de la sobretensión 10 sola media sobrepuesto en carga clasificada |
IFSM | 30 | |
|
Energía de pulso en el modo de la avalancha, no repetidor (apagar de carga inductiva) I (BR) R = 1 A, TJ = °C 25 |
ER | 20 | mJ |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | - 55 a + 150 | C |
GRADOS Y CURVAS de CARACTERÍSTICAS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)
DIMENSIONES del ESQUEMA del PAQUETE en las pulgadas (milímetros)
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC