Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N
electronic chip board
,electronic components ic
Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N
acción original de los componentes electrónicos de PowerTrench FDS6676AS del canal N 30V
Descripción general
El FDS6676AS se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en síncrono
DC: Fuentes de corriente continua. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El FDS6676AS incluye un diodo integrado de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.
Usos
• Convertidor de DC/DC
• Cuaderno lateral bajo
Características
• A 14,5, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 de V RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 4,5 V
• Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky
• Carga baja de la puerta (45nC típicos)
• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual
Grados máximos absolutos TA=25o C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | Grado | Unidad |
VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | 30 | V |
VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente | ±20 | V |
Identificación |
Drene actual – continuo (nota 1a) – Pulsado |
14,5 | |
50 | |||
Paladio |
Disipación de poder para la sola operación (nota 1a) (Nota 1b) (Nota 1c) |
2,5 | W |
1,5 | |||
1 | |||
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento | – 55 a +150 | °C |
Características termales
RθJA | Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) | 50 | W/°C |
RθJC | Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 1) | 25 |
Marca del paquete e información el ordenar
Marcado del dispositivo | Dispositivo | Tamaño del carrete | Anchura de la cinta | Cantidad |
FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12M M | 2500 unidades |
FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12M M | 2500 unidades |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

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Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

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Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
