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Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte 8-SOIC de la superficie 2.5W (TA) del canal N 30 V 14.5A (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T por adelantado u otros
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
30V
Línea principal:
Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
Voltaje de la Puerta-fuente:
±20V
Temperatura:
-50-+150°C
Paquete de la fábrica:
2500PCS/REEL
Paquete:
SOP-8
Punto culminante:

electronic chip board

,

electronic components ic

Introducción

Ordenador Chip Board del circuito del Mosfet FDS6676AS Intregrated de Powertrench del canal N

acción original de los componentes electrónicos de PowerTrench FDS6676AS del canal N 30V

Descripción general

El FDS6676AS se diseña para substituir un solos MOSFET SO-8 y diodo de Schottky en síncrono

DC: Fuentes de corriente continua. Este MOSFET 30V se diseña para maximizar eficacia de conversión de poder, proporcionando un RDS bajo (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. El FDS6676AS incluye un diodo integrado de Schottky usando la tecnología monolítica de SyncFET de Fairchild.

Usos

• Convertidor de DC/DC

• Cuaderno lateral bajo

Características

• A 14,5, 30 mΩ del max= 6,0 del V. RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 10 mΩ del max= 7,25 de V RDS (ENCENDIDO) @ VGS = 4,5 V

• Incluye el diodo del cuerpo de SyncFET Schottky

• Carga baja de la puerta (45nC típicos)

• Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO) y la transferencia rápida

• Poder más elevado y capacidad de dirección actual

Grados máximos absolutos TA=25o C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Grado Unidad
VDSS Voltaje de la Dren-fuente 30 V
VGSS Voltaje de la Puerta-fuente ±20 V
Identificación

Drene actual – continuo (nota 1a)

– Pulsado

14,5
50
Paladio

Disipación de poder para la sola operación (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

2,5 W
1,5
1
TJ, TSTG Gama de temperaturas de empalme del funcionamiento y del almacenamiento – 55 a +150 °C

Características termales

RθJA Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 1a) 50 W/°C
RθJC Resistencia termal, Empalme-a-caso (nota 1) 25

Marca del paquete e información el ordenar

Marcado del dispositivo Dispositivo Tamaño del carrete Anchura de la cinta Cantidad
FDS6676AS FDS6676AS 13" 12M M 2500 unidades
FDS6676AS FDS6676AS_NL 13" 12M M 2500 unidades

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