BUK7611-55B, 118 componentes electrónicos del NIVEL de IC TRENCHMOS-TM nuevos y originales del proveedor ESTÁNDAR del FET China
Especificaciones
Voltaje:
12 V y 24 V
Características:
Resistencia baja misma del en-estado
Descripción:
Transistor de poder del eld-efecto del fi del modo del aumento del canal N
Temperatura:
175°C
Uso:
/
Tipo:
Chip CI
Punto culminante:
electronic chip board
,electronic components ic
Introducción
FET ESTÁNDAR DEL NIVEL DE BUK7611-55B IC TRENCHMOS-TM
1,1 descripción
Transistor de poder del eld-efecto del fi del modo del aumento del canal N al usar plástico del paquete
Tecnología de Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™.
1,2 características
resistencia baja misma del en-estado de s
s 175°C valoró
s Q101 obediente
nivel estándar de s compatible.
1,3 usos
sistemas automotrices de s
motores, lámparas y solenoides de s
s 12 V y 24 cargas de V
transferencia de fines generales del poder de s.
1,4 datos de referencia rápida
s EDS (AL) S≤173 mJ
s ID≤75 A
mΩ de s RDSon= 9,9 (tipo)
s Ptot≤157 W.
Pin | Descripción |
1 |
(G) de la puerta
|
2 | dren (d) |
3 | fuente (s) |
mb |
base del montaje,
conectado con
dren (d)
|
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