La placa de circuito de AO3400A salta el transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte SOT-23-3 de la superficie 1.4W (TA) del canal N 30 V 5.7A (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
0.1USD
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Descripción:
tecnología avanzada del foso
Voltaje:
2.5V
Características:
La UL reconoció (fichero # E90700, volumen 2)
Tipo:
Transistor
Usos:
reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones
Parámetro:
Voltaje de avería de la Dren-fuente
Punto culminante:
circuit board ic
,electronic chip board
Introducción
Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N de AO3400A
Descripción general
El AO3400A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto
el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM.
El producto estándar AO3400A es Pb-libre (las reuniones ROHS y Sony 259 especificaciones).
: El valor de RθJA se mide con el dispositivo montó en el 1in el tablero 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA=25°C. El valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.
B: Grado repetidor, anchura de pulso limitada por la temperatura de empalme TJ (max) =150°C.
8.5C. El RθJA es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar RθJL y a llevar a ambiente.
0,0 D. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando <300 us="" pulses="">
F: El grado actual se basa en el grado de la resistencia termal de t≤10s. Rev0: Abril de 2007
ESTE PRODUCTO SE HA DISEÑADO Y SE HA CALIFICADO PARA EL MERCADO DE CONSUMIDORES. USOS O APLICACIONES COMO CRÍTICO
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FUNCIONES Y CONFIABILIDAD SIN PREVIO AVISO.
| Características termales | |||||
|
Parámetro
|
Símbolo
|
Tipo Máximo
|
Unidades
|
||
|
Máximo Empalme--Ambien a A
|
t≤10s
|
RθJA
|
70
|
90
|
°C/W
|
|
A Empalme-a-ambiente máxima
|
De estado estacionario
|
100
|
125
|
°C/W
|
|
|
Empalme-a-ventaja máxima C
|
De estado estacionario |
RθJL
|
63 | 80 | °C/W |
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