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TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo
TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Parte radial del emisor 940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50° del infrarrojo (IR), diámetro de 3m m
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Características:
• Tipo del paquete: plomado
Features2:
• Forma del paquete: T-1
Features3:
• Dimensiones (en el milímetro): ∅ 3
Features4:
• Longitud de onda máxima: λp = 940 nanómetro
Features5:
• Alta confiabilidad
FEATURES6:
Alto poder radiante
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

TSAL4400 GaAs/GaAlAs IR que emite el diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado del diodo

CARACTERÍSTICAS

• Tipo del paquete: plomado

• Forma del paquete: T-1

• Dimensiones (en el milímetro): ∅ 3

• Longitud de onda máxima: λp = 940 nanómetro

• Alta confiabilidad

• Alto poder radiante

• Alta intensidad radiante

• Ángulo de la intensidad baja: ϕ = ± 25°

• Voltaje delantero bajo

• Conveniente para la operación actual del alto pulso

• El buen hacer juego espectral con los fotodetectores del Si

• Partidos del paquete con el detector TEFT4300

• Ventaja (Pb) - componente libre de acuerdo con RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC

DESCRIPCIÓN

TSAL4400 es un infrarrojo, 940 nanómetro que emiten el diodo en la tecnología de GaAlAs/GaAs con el alto poder radiante moldeado en un paquete plástico azul-gris.

USOS

• Unidades de control remoto infrarrojas

• Sistemas de transmisión del aire libre

• Fuente infrarroja para los contadores y los lectores de tarjetas ópticos

INFORMACIÓN EL ORDENAR
CÓDIGO EL ORDENAR EMPAQUETADO OBSERVACIONES PAQUETE FORMtr (ns)
TSAL4400 Bulto MOQ: 5000 PC, 5000 PC/bulto T-1

Nota

Las condiciones de prueba consideran la tabla “características básicas “

RESUMEN DEL PRODUCTO
COMPONENTE IE (mW/sr) ϕ (grados) λP (nanómetro) tr (ns)
TSAL4400 30 ± 25 940 800

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