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epitaxial planar pnp transistor

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palabras claves   [ epitaxial planar pnp transistor ]  Partido 26 productos.
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 3 un soporte superficial D-Pak de 50MHz 1 W
Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz soporte superficial SOT-23-3 de 6
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP

2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP

Soporte SOT-323 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60 V 315mA (TA)
Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A

Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A

Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW a través del agujero SPT
PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Power Mosfet Transistor Si-Epitaxial Planar Transistores de conmutación

PZT2907A Power Mosfet Transistor Si-Epitaxial Planar Transistores de conmutación

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Imagenparte #DescripciónfabricanteComúnRFQ
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 3 un soporte superficial D-Pak de 50MHz 1 W
Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3

BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3
Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz soporte superficial SOT-23-3 de 6
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP

Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP
Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP

2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP
Soporte SOT-323 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60 V 315mA (TA)
Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A

Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW a través del agujero SPT
PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta

PIMN31,115 Transistores equipados con resistencia NPN / PNP 500 MA 50V Transistores de doble puerta
Transistores bipolares pre-biasados (BJT) 2 NPN - Pre-biasados (doble) 50V 500mA 420mW Monte de supe
TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP

TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL de BD140 3 Pin Transistor PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1.5 A 1.25 W Through Hole SOT-32-3
PZT2907A Power Mosfet Transistor Si-Epitaxial Planar Transistores de conmutación

PZT2907A Power Mosfet Transistor Si-Epitaxial Planar Transistores de conmutación
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 1 W Surface Mount SOT-223
Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP

Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Transistor planar epitaxial del silicio PNP, mosfet audio del poder 2SB1560

Transistor planar epitaxial del silicio PNP, mosfet audio del poder 2SB1560
Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Agujero pasante TO-3P
Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad

Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 8 un soporte superficial TP-FA de 330MHz 1 W
Tipo planar epitaxial del silicio PNP del transistor del Mosfet del poder 2SB1219A

Tipo planar epitaxial del silicio PNP del transistor del Mosfet del poder 2SB1219A
Transistor bipolar (BJT) PNP 50 V 500 mA 200MHz soporte superficial SMini3-G1 de 150 mW
Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP

Original a estrenar planar epitaxial del silicio SANKEN del transistor de 2SA1295 PNP
Transistor bipolar (BJT) PNP 230 V 17 un 35MHz 200 W a través del agujero MT-200
Planar epitaxial del Si del soporte de Chips Surface de la placa de circuito de los transistores BCP55

Planar epitaxial del Si del soporte de Chips Surface de la placa de circuito de los transistores BCP55
Soporte superficial bipolar SOT-223-4 del transistor (BJT) NPN 60 V 1,5 A 1,5 W
Transistor de módulo Mosfet de potencia EMD3T2R Propósito general (transistores digitales duales)

Transistor de módulo Mosfet de potencia EMD3T2R Propósito general (transistores digitales duales)
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Transistores de poder complementarios TIP2955 que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder

Transistores de poder complementarios TIP2955 que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN

TIP3055 transistores del mosfet del poder más elevado de los transistores de poder del silicio NPN
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
TRANSISTOR SUPERFICIAL del SOPORTE del emisor de MMBT3904-7-F SEÑAL multi del transistor NPN de la PEQUEÑA

TRANSISTOR SUPERFICIAL del SOPORTE del emisor de MMBT3904-7-F SEÑAL multi del transistor NPN de la PEQUEÑA
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
PEQUEÑO mosfet SUPERFICIAL ic del poder del módulo del mosfet del poder del TRANSISTOR del SOPORTE de la SEÑAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED

PEQUEÑO mosfet SUPERFICIAL ic del poder del módulo del mosfet del poder del TRANSISTOR del SOPORTE de la SEÑAL SOT-23 de DDTC123ECA-7-F NPN PRE-BIASED
Transistor bipolar prepolarizado (BJT) NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montaje en sup
PC epitaxiales del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio de MMBT5401 PNP

PC epitaxiales del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio de MMBT5401 PNP
Transistor bipolar (BJT) PNP 150 V 600 mA 300MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
Mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de fines generales del transistor de BC856B SMD (PNP)

Mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de fines generales del transistor de BC856B SMD (PNP)
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
Placa de circuito eléctrica del SOPORTE PNP de BC858B del TRANSISTOR SUPERFICIAL del SILICIO, ic programable

Placa de circuito eléctrica del SOPORTE PNP de BC858B del TRANSISTOR SUPERFICIAL del SILICIO, ic programable
Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 250 mW
Microprocesador de destello 60V de la memoria del Ic Chip Color TV Ic del programa del diodo de rectificador de MMBT2907A-7-F

Microprocesador de destello 60V de la memoria del Ic Chip Color TV Ic del programa del diodo de rectificador de MMBT2907A-7-F
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz soporte superficial SOT-23-3 de 300 mW
Tipo chip CI original del puente del diodo de rectificador de DDTC143XCA-7-F de los diodos del proveedor de China del diodo de rectificador

Tipo chip CI original del puente del diodo de rectificador de DDTC143XCA-7-F de los diodos del proveedor de China del diodo de rectificador
Transistor bipolar prepolarizado (BJT) NPN - Prepolarizado 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Montaje en sup
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