Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Categorías:
Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
300mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
2,5 ohmios @ 160mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
1V @ 1mA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
3nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
70pF @ 48V
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introducción
BSH201 NPN PNP Transistores de canal P 60V 300mA (Ta) 417mW (Ta) Montado en la superficie
Transistores BSH201 MOS con modo de mejora del canal P
Los datos de referencia rápidos de los símbolos se pueden utilizar para la configuración de los sistemas de control de velocidad.
DESCRIPCIÓN GENERAL El número de identificación SOT23
Canal P, modo de mejora, PIN DESCRIPCIÓN nivel lógico, transistor de potencia de efecto de campo.Este dispositivo tiene un bajo voltaje de umbral de 1 puerta y conmutación extremadamente rápida lo que lo hace ideal para aplicaciones de 2 fuentes alimentadas por batería e interfaz digital de alta velocidad. 3 desagüe
El BSH201 se suministra en el paquete de montaje de superficie subminiatura SOT23.
| Atributos del producto | Seleccionar todos |
| Categorías | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores - FET, MOSFET - Uno | |
| Fabricante | Nexperia EE.UU. Inc. |
| Serie | - |
| Embalaje | Cintas y bobinas (TR) |
| Estado de las partes | Actividad |
| Tipo de FET | Canal P |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el siguiente: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 4.5V y 10V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 160 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 1V @ 1mA (min) |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | 417 mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Se trata de la siguiente: |
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