Mosfet de alto voltaje del poder del mosfet de la energía baja de fines generales del transistor de BC856B SMD (PNP)
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 65 V 100 mA 150MHz soporte superficial SOT-23 de 350 mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
CEO DE V:
-65 V
Base Voltag CBO de V:
-80 V
VEBO:
-5,0 V
IC:
-100 mA
Ptot:
225 mW
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
TRANSISTORES DE FINES GENERALES DE PNP
CARACTERÍSTICAS
Usos de fines generales del amplificador
Silicio epitaxial de NPN, diseño planar
Corriente de colector IC = -100mA
Dispositivos elogiosos (PNP):
Serie BC846/Because847/Because848/Because849
El producto libre del Pb está disponible: El Sn del 99% arriba puede satisfacer la petición directiva de la sustancia del ambiente de RoHS
DATOS MECÁNICOS
Caso: SOT-23
Terminales: Solderable por MIL-STD-750, método 2026
Peso aproximado: 0,008 gramos
Marcado del dispositivo:
CURVAS DE CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
LISTA COMÚN
| AT45DB321D-SU | 2300 | ATMEL | 16+ | SOP-8 |
| ADP3338AKC-3.3 | 2000 | ANUNCIO | 16+ | SOT-223 |
| FZT857TA | 3000 | ZETEX | 16+ | SOT-223 |
| FZT957TA | 3000 | ZETEX | 15+ | SOT-223 |
| DSP-141N-A21F | 4020 | MIT | 15+ | INMERSIÓN |
| BNX016-01 | 1560 | MURATA | 15+ | INMERSIÓN |
| DSP-201M-A11F | 3960 | MIT | 15+ | INMERSIÓN |
| DL4004-13-F | 8130 | DIODOS | 16+ | LL41 |
| AP7333-33SAG-7 | 1600 | DIODOS | 15+ | SOT-23 |
| BU1508DX | 2100 | PHI | 14+ | TO-220F |
| BFS20 | 2100 | 15+ | SOT-23 | |
| BSH105 | 2100 | 15+ | SOT-23 | |
| FDH44N50 | 2200 | FSC | 15+ | TO-247 |
| BC517RL1G | 15000 | EN | 15+ | TO-92 |
| DLW31SQ222SQ2L | 7860 | MURATA | 16+ | SMD |
| BAT46JFILM | 15000 | ST | 15+ | SOD323 |
| FQT13N06L | 2000 | FAIRCHILD | 15+ | SOT-223 |
| BZV55-C4V7 | 9000 | 15+ | LL34 | |
| 74AC541MTCX | 7500 | FAIRCHILD | 14+ | TSSOP |
| 74HC7266N | 7500 | 15+ | INMERSIÓN | |
| DS3234SN# | 4740 | MÁXIMA | 16+ | SOP-20 |
| FDC6401N | 1950 | FSC | 15+ | SOT-163 |
| 24AA256T-I/SN | 3000 | MICROCHIP | 13+ | COMPENSACIÓN |
| BZV55-C12 | 9000 | 15+ | LL34 | |
| BAV16WS-7-F | 15000 | DIODOS | 15+ | SOD323 |
| AME8800AEETZ | 1600 | AME | 15+ | SOT-23 |
| 74LCX162244MTDX | 7500 | FAIRCHILD | 16+ | TSOP |
| CA3179E | 1380 | HAR | 15+ | DIP-14 |
| DCR011205U/1K | 1100 | BB | 15+ | SOP-12 |
| DS1802E | 5730 | DALLAS | 15+ | TSSOP |
| DS75176BTMX | 4500 | NSC | 15+ | SOP-8 |
| FM25W256-G | 2200 | RAMTRON | 16+ | SOP-8 |
| FM25L04-G | 2200 | RAMTRON | 16+ | SOP-8 |
| 2SC3281+2SA1302 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-3PL |
PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs