Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Package:
TO-3PN
Applications:
Audio ,regulator and general purpose
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introducción
Mosfet audio planar epitaxial 2SB1560, del poder del silicio PNP
DarliCM GROUPon 2SB1560
Transistor planar epitaxial del silicio PNP (complemento para mecanografiar 2SD2390)
| PIN | DESCRIPCIÓN |
| 1 | Base |
| 2 | Colector; conectado con montaje de la base |
| 3 | Emisor |
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | VALOR | UNIDAD |
| VCBO | voltaje de la Colector-base | Emisor abierto | -160 | V |
| VCEO | voltaje del Colector-emisor | Base abierta | -150 | V |
| VEBO | voltaje de la Emisor-base | Colector abierto | -5 | V |
| IC | Corriente de colector | -10 | ||
| IB | Corriente baja | 1 | ||
| PC | Disipación de poder del colector | TC =25℃ | 100 | W |
| Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ | |
| Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
| SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | MINUTO | TIPO. | Max | UNIDAD |
| CEO DE V (BR) | voltaje de avería del Colector-emisor | IC =-30mA; IB =0 | -150 | V | ||
| VCEsat | voltaje de saturación del Colector-emisor | IC =-7A; IB =-7mA | -2,5 | V | ||
| VBEsat | Voltaje de saturación del emisor de base | IC =-7A; IB =-7mA | -3,0 | V | ||
| ICBO | Corriente de atajo de colector | VCB =-160V; IE =0 | -100 | μA | ||
| IEBO | Corriente del atajo del emisor | VEB =-5V; IC =0 | -100 | μA | ||
| hFE | Aumento actual de DC | IC =-7A; VCE =-4V | 5000 | |||
| Mazorca | Capacitancia de salida | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 230 | PF | ||
| pie | Frecuencia de la transición | IC =-2A; VCE =-12V | 50 | Megaciclo | ||
| Épocas que cambian | ||||||
| tonelada | Tiempo de abertura |
IC =-7A; RL =10Ω |
0,8 | μs | ||
| ts | Tiempo de almacenamiento | 3,0 | μs | |||
| tf | Tiempo de caída | 1,2 | μs | |||
| O | P | Y |
| 5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
ESQUEMA DEL PAQUETE
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