PC epitaxiales del transistor 2L SOT-23 3000 del silicio de MMBT5401 PNP
MMBT5401 Bipolar Transistors BJT
,150V PNP Epitaxial Silicon Transistor
,MMBT5401 PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANSISTOR DE TRANSFERENCIA DE FINES GENERALES DE MMBT5401PNP
El voltaje -150voltiosacciona 300mWatts
DATOS MECÁNICOS
Caso: SOT-23, plástico
Terminales: Solderable por MIL-STD-750,
método 2026
Aproximadamente peso: 0.008gram
Marca: 2L
CARACTERÍSTICAS
silicio epitaxial de *PNP, diseño planar.
voltaje VCE=-150V del *Collector-emitter.
*Collector IC=-0.6A actual.
* de acuerdo con ER RoHS 2002/95/EC
directorios.
frecuencia pie >100MHz @ IC=- del *Transition
20mAdc, VCE=-6Vdc, f=100MHz.
DIMENSIONES DEL ESQUEMA SOT-23
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