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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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Transistor del silicio del poder medio 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G |
Transistor bipolar (BJT) NPN 300 V 500 mA 20 W a través del agujero TO-126
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Semi / Semi catalizador
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Mosfet IRFP260MPBF del poder del canal N del óxido de metal de 200V 50A TO247 |
Canal N 200 V 50A (Tc) 300W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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El silicio 1.5A plástico SOT-23 NPN de MMSS8050-H-TP encapsula el transistor |
Transistor bipolar (BJT) NPN 25 V 1,5 un 100MHz soporte superficial SOT-23 de 625 mW
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Fabricante
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BORRACHÍN superficial 23 del soporte de los transistores 140MHz 625mW de FMMT734TA DarliCM GROUPon NPN PNP 3 |
Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 800 mA 140MHz soporte superficial SOT-23-3 de 6
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DIODOS
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Transistor de poder de BFS505,115 15V RF, transistor superficial del soporte de 18mA 9GHz 150mW |
Soporte superficial SC-70 del transistor NPN 15V 18mA 9GHz 150mW del RF
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NXP
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Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP |
Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A |
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW a través del agujero SPT
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Fabricante
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Soporte superficial 417mW (TA) del canal 60V 300mA (TA) de los transistores P de BSH201,215 NPN PNP |
Soporte TO-236AB de la superficie 417mW (TA) del P-canal 60 V 300mA (TA)
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Fabricante
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2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP |
Soporte SOT-323 de la superficie 260mW (TA) del canal N 60 V 315mA (TA)
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Fabricante
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Supresores transitorios SMAJ5.0A-E3/61 del voltaje de SMA DO-214AC Transzorb |
9.2V soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo de la abrazadera 43.5A Ipp TV
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VISHAY
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Diodo transitorio DO-224A del supresor TV del voltaje del soporte superficial de SMBJ400A |
648V soporte superficial SMB (DO-214AA) del diodo de la abrazadera 900mA Ipp TV
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Fabricante
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Canal bajo SOT143 del arsenal 2 de la protección del Esd de la capacitancia de TPD2E001DZDR |
Soporte superficial 4-SOP del diodo del Ipp TV de la abrazadera
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Las acciones de Texas Instruments
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Soporte superficial del supresor transitorio del voltaje de SM6T15CAY TV |
27.2V soporte superficial SMB (DO-214AA) del diodo de la abrazadera 147A (8/20µs) Ipp TV
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STMicroelectronics
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Diodo de rectificador de la barrera de SD24145C Schottky 30A 0.7V TO204AA |
Diodo 45 V 30A a través del agujero TO-204AA (TO-3)
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Microchip
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Diodos Zener planares del silicio 0.5W de ZMM36 36V LL34 1206 |
Soporte superficial SOD-80C del diodo Zener 36 V 500 mW el ±5%
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Fabricante
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diodo transitorio SMBJ36CA-E3/52 del supresor del voltaje de 600W SMB |
58.1V soporte superficial DO-214AA (SMBJ) del diodo de la abrazadera 10.3A Ipp TV
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VISHAY
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diodo Zener superficial BZT52C2V0-7-F del soporte de 2V 10mA SOD-123 |
Soporte superficial SOD-123 del diodo Zener 2 V 500 mW el ±5%
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DIODOS
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Dispositivo de protección del canal SOT23-6 500mW ESD del patio TPD4E1U06 |
soporte superficial SOT-23-6 del diodo de la abrazadera 15V (tipo) 3A (8/20µs) Ipp TV
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Las acciones de Texas Instruments
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‘Fusible restaurable polimérico de fines generales del PTC del diodo de rectificador |
Fusible restaurable polimérico 24V 1,1 del PTC un soporte superficial 1812 (4532 de Ih métricos), có
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Fabricante
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Rectificadores ultrarrápidos del poder del soporte superficial de IC de la gestión del poder de MURS260T3G |
Soporte superficial SMB del diodo 600 V 2A
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Semi / Semi catalizador
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Eliminación del bucle de tierra de IC Chip Logic Gate Optocouplers For del ordenador de HCPL0600R2 10bps |
Canal abierto 5kV/µs CMTI 8-SOIC del colector 3750Vrms 1 del aislador óptico 10Mbps de la salida de
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Semi / Semi catalizador
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Componente electrónico original de YC164-JR-0722RL SMD en vida útil larga del agujero |
22 el poder del ohmio el ±5% 62.5mW por el elemento aisló la red/el arsenal ±200ppm/°C 1206 (3216 mé
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Fabricante
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diodo MM3Z18VT1G de los reguladores de voltaje de 200mW 18V SOD−323 Zener |
Soporte superficial SOD-323 del diodo Zener 18 V 300 mW el ±6%
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Semi / Semi catalizador
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Canal 10kV/µS del tótem 3750Vrms 1 del microprocesador 25MBd del circuito integrado de ACPL-072L-000E |
Aislador óptico 25MBd de vaivén, canal 10kV/µs CMTI 8-SO de la salida de la lógica del tótem 3750Vrm
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Fabricante
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La lógica 74OL6011 hizo salir el colector abierto del aislador del acoplador óptico de alta velocidad opto de IC 15MBd |
El colector abierto del aislador óptico 15MBd de la salida de la lógica, Schottky afianzó 5300Vrms 1
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Semi / Semi catalizador
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Circuito integrado Chip Schottky Clamped 5kV/µS CMTI 6-DIP de 74OL6010 5300Vrms |
El colector abierto del aislador óptico 15MBd de la salida de la lógica, Schottky afianzó 5300Vrms 1
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Semi / Semi catalizador
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Lector de Monitoring 13.56MHz IC Rfid del lector de MFRC52201HN1,157 IC Smart Card |
Lector IC 13.56MHz ISO 14443, ² C, SPI, UART 2.5V del RFID de MIFARE I ~ 3.3V 32-VFQFN expuso el coj
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NXP
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Circuito integrado Chip With de DBLS207G SMD 1000V 2A SOP4 garantía de 365 días |
Estándar la monofásico del puente rectificador soporte superficial DBLS de 1 kilovoltio
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Fabricante
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Módulo ultrasónico del sensor HC-SR04 con la alta precisión |
Sensor ultrasónico 40kHz
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Fabricante
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Tablero actual 50AB Hall Current Sensor Module del sensor de LLCTR ACS724 |
SENSOR PASILLO ACTUAL 5A 8SOIC
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Fabricante
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Gama actual ACS712-05B Hall Effect Current Sensor del módulo 5A 20A 30A del sensor ACS712 |
SENSOR PASILLO ACTUAL 20A AC/DC
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Fabricante
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Componentes electrónicos NRF52832-QFAA-T del Pin QFN IC de BT V5.0 2Mbps 3V 48 |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.3 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-40TPS12APBF |
SCR 1,2 kilovoltio 55 una recuperación estándar a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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FOD2742B IC de memoria flash nuevo y original |
El transistor del aislador óptico hizo salir 2500Vrms 1 el canal 8-SOIC
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Semi / Semi catalizador
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CC2420RGZT IC de memoria flash nuevo y original |
IC RF TxRx solamente 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Las acciones de Texas Instruments
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CC2541F256RHAR IC de memoria flash nuevo y original |
IC RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.0 2.4GHz 40-VFQFN expuso el cojín
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Las acciones de Texas Instruments
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IC de memoria flash EM250-RTR nuevo y original |
IC RF TxRx + MCU 802.15.4 Zigbee® 2.4GHz 48-VFQFN expuso el cojín
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Fabricante
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GRM1555C1H3R0CA01D condensador MLCC nuevo y original |
3 condensador de cerámica C0G, NP0 0402 (1005 del PF ±0.25pF 50V métricos)
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Murata
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GRM1555C1H4R0CA01D condensador MLCC nuevo y original |
4 pF ± 0,25 pF Condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM1555C1H4R0BA01D condensador MLCC nuevo y original |
4 condensador de cerámica C0G, NP0 0402 (1005 del PF ±0.1pF 50V métricos)
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Murata
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GRM1555C1H471JA01D condensador MLCC nuevo y original |
470 pF ± 5% condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM155R60J225KE95D condensador MLCC nuevo y original |
2.2 μF ± 10% condensador cerámico de 6,3 V X5R 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM033R71A152MA01D existencias nuevas y originales |
CONDENSADOR DE CERÁMICA
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Murata
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GCM188R72A104KA64D existencias nuevas y originales |
0.1 μF ± 10% condensador cerámico de 100 V X7R 0603 (1608 métrico)
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Murata
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GRM033R71A152KA01D existencias nuevas y originales |
1500 condensador de cerámica del PF el ±10% 10V X7R 0201 (0603 métricos)
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Murata
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GRM155R60J106ME44D condensador MLCC nuevo y original |
10 condensador de cerámica del µF el ±20% 6.3V X5R 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GCM188R72A103KA37D existencias nuevas y originales |
10000 condensador de cerámica del PF el ±10% 100V X7R 0603 (1608 métricos)
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Murata
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GRM033R71E151KA01D existencias nuevas y originales |
150 condensador de cerámica del PF el ±10% 25V X7R 0201 (0603 métricos)
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Fabricante
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GRM155R60J105KE19D condensador MLCC nuevo y original |
1 condensador de cerámica 6.3V X5R del µF el ±10% 0402 (1005 métricos)
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Murata
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