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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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PDZ3.3B,115 Diodo de alto voltaje nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo Zener 3,3 V 400 mW el ±2%
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Nexperia
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PMLL4448,135 Diodo de alta potencia nuevo y original |
Soporte superficial LLDS del diodo 75 V 200mA; MiniMelf
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Nexperia
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BAW56S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Ánodo común de 2 pares 90 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-3
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Nexperia
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BC807,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 80MHz soporte superficial TO-236AB de 250 mW
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Nexperia
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BCP52-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 50MHz 1,4 W
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STMicroelectronics
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BCP54-16E6433 HISTORÍA NUEVA y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 1 un soporte superficial SOT-223 de 100MHz 2 W
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Infineon
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BCP54-16-TP HISTORIA de las existencias nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 1 un 100MHz soporte superficial SOT-223 de 300 mW
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Fabricante
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BCP5416TA ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) NPN 45 V 1 un soporte superficial SOT-223-3 de 150MHz 2 W
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DIODOS
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VS-ETH1506-M3 Transistor de efecto de campo de puerta aislada nuevo y original |
Diodo 600 V 15A a través del agujero TO-220AC
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VISHAY
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10CTQ150 VISHAY Transistores Mosfet de alta potencia Nuevo certificado ROHS original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 5A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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Logótipo de IRLR024NTRPBF personalizado |
Soporte D-Pak de la superficie 45W (Tc) del canal N 55 V 17A (Tc)
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Infineon
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Transistor de efecto de campo de precisión aprobado por la ROHS SIHW30N60E-GE3 |
Canal N 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AD
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VISHAY
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BAT54A BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 30 V 200mA de 1 par
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Fairchild
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BAT54C BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 30 V 200mA de 1 pa
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Semiconductor de buen arco
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BAT54S BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, referencia de la conexión de serie de 1 par
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Semiconductor de buen arco
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BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial de array de diodos SC-70, SOT-323 de la conexión de serie de 1 par 30 V 200mA
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Semiconductor de Diotec
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BAT54SW BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Conexión de serie de diodos de 1 par 30 V 200 mA (DC) Monte de superficie SC-70, SOT-323
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial SOT-323 del diodo 30 V 200mA
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Semiconductor de Diotec
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BAT54W BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial SOT-323 del diodo 30 V 200mA
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BAT721C,215 BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 40 V 200mA (D
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Nexperia
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BAT721S,215 BOSQUE NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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NXP
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BAT721S_R1_00001 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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Fabricante
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BAT721S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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Nexperia
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BAT74,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
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Nexperia
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BAT74,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 200mA (DC)
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
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NXP
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BAT74S/S500X Transistores de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte superficial de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de 30 V
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Nexperia
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BAT74S,135 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
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Nexperia
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BAT74S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
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Nexperia
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BAT 754S,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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Nexperia
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BAT 754L,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
3 30 soporte independiente de array de diodos 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 de la superficie de V 200mA (D
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Nexperia
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BAT760Z Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 20 V 1A
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Nexperia
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BAT760Q-7 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 30 V 1A
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DIODOS
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BAT 760,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 20 V 1A
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Nexperia
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BAV102 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte superficial SOD-80 del diodo 150 V 200mA
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Semi / Semi catalizador
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BAV170 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 85 V 125mA (D
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DIODOS
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BAV170 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie del cátodo 85 V 125mA (D
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original |
Diodo 200 V 200mA a través del agujero DO-35
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Semi / Semi catalizador
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original |
Diodo 150 V 200mA a través del agujero DO-35
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DIODOS
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 200 V 200mA a través del agujero DO-35
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Semiconductor de Diotec
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original |
Diodo 150 V 250mA Orificio Pasante DO-35
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Semiconductor de Diotec
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 250 V 200mA a través del agujero DO-35
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Semi / Semi catalizador
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BC846B Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-23 de 200 mW
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Taiwán Semiconductor Corporation
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BC846BW Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) NPN 65 V 100 mA 100MHz soporte superficial SOT-323 de 200 mW
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Semiconductor de Diotec
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BAT54CW HISTORIA de las poblaciones nuevas y originales |
Soporte superficial común de array de diodos SC-70, SOT-323 del cátodo 30 V 200mA de 1 par
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Semiconductor de Diotec
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GRM1555C1H390JA01D condensador MLCC nuevo y original |
39 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GRM1555C1H471GA01D condensador MLCC nuevo y original |
470 condensador de cerámica del PF el ±2% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GRM1555C1H470JA01D condensador MLCC nuevo y original |
47 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GRM1555C1H431JA01D condensador MLCC nuevo y original |
430 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GRM1555C1H430JA01D condensador MLCC nuevo y original |
43 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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