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chips CI electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44VPBF |
Canal N 60 V 55A (Tc) 115W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44NSTRLPBF |
Canal N 55 V 49A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 94W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ34NPBF |
Canal N 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ24NPBF |
Canal N 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRFZ48NSTRLPBF existencias nuevas y originales |
Canal N 55 V 64A (Tc) 3.8W (TA), soporte D2PAK de la superficie 130W (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFZ44E |
Canal N 60 V 48A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 1N4148WS-E3-08 |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 75 V 150mA
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE APC-817C1-SL |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5000Vrms 1 el canal 4-SMD
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 25CTQ045 |
Cátodo común de array de diodos 45 V 15A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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Transistores de efecto de campo VS-UFB60FA60P de alta tensión |
Soporte independiente de array de diodos SOT-227-4, miniBLOC de 2 600 chasis de V 44A
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VISHAY
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IRGP4066DPBF Transistor de efecto de campo Transistor de salida horizontal Concha negra |
Foso 600 V 140 A 454 W de IGBT a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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Transistores Mosfet de potencia RF de precisión profesional VS-65PQ015PBF ROHS incluidos |
Diodo 15 V 65A a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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Transistor de efecto de campo de alta precisión MBR20100CTP Transistor bipolar de puerta aislada |
Cátodo común de array de diodos 100 V de 1 par a través del agujero TO-220-3
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Fabricante
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Transistores Mosfet IRLR120NTRPBF de potencia RF segura y garantizada en stock |
Soporte D-Pak de la superficie 48W (Tc) del canal N 100 V 10A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-12CWQ10FNTRPBF |
Matriz de diodos 1 par de cátodo común 100 V 6 A Montaje en superficie TO-252-3, DPak (2 conductores
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VISHAY
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BCX53,146 Diodo de chip nuevo y original |
Transistor bipolar (BJT) PNP 80 V 1 un soporte superficial SOT-89 de 145MHz 1,3 W
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Nexperia
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1PS76SB40,135 Diodo de alta corriente nuevo y original |
Soporte superficial SOD-323 del diodo 40 V 120mA
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Nexperia
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PESD12VS1UL,315 Diodo de chip nuevo y original |
35V soporte superficial DFN1006-2 del diodo de la abrazadera 5A (8/20µs) Ipp TV
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Nexperia
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PHK31NQ03LT Diodo de chip nuevo y original |
Arsenal del Mosfet
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Nexperia
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PDZ10BGWX Diodo de alta potencia nuevo y original |
Soporte superficial SOD-123 del diodo Zener 10 V 365 mW el ±2.2%
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Nexperia
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GSOT03C-E3-08 Chip Diodo Chip IC VISHAY Nuevo Diodo de TV original de 3.3V 12.3V SOT23-3 |
12.3V soporte superficial SOT-23-3 del diodo de la abrazadera 30A (8/20µs) Ipp TV
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VISHAY
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El sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable es el sistema de control de la energía de los motores de combustión renovable. |
Soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) del diodo 30 V 200mA
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Semiconductor de Diotec
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El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero, que es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Transistor bipolar (BJT) NPN 80 V 1 un soporte superficial SOT-223 (TO-261) de 130MHz 1,5 W
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Semi / Semi catalizador
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MJD127T4G ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 8 un soporte superficial 1,75 de 4MHz W DPAK
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Semi / Semi catalizador
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STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original |
Canal N 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) a través del agujero TO-247-3
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STMicroelectronics
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STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original |
Canal N 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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STP110N7F6 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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STP55NF06 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Canal N 60 V 50A (Tc) 110W (Tc) a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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TIP122 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) NPN - Darlington 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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TIP127 ALCANZAS nuevas y originales |
Transistor bipolar (BJT) PNP - Darlington 100 V 5 A 2 W a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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BTA24-600BWRG ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 25 A a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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BTA16-600CWRG Cantidad nueva y original |
TRIAC Alternistor - Snubberless 600 V 16 A a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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BTA06-600SWRG ALCANZAS nuevas y originales |
Lógica del TRIAC - puerta sensible 600 V 6 A a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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Transistor de efecto de campo BAV20 nuevo y original |
Diodo 200 V 200mA Orificio Pasante DO-35 (DO-204AH)
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Fairchild
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BAV199 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la superficie de la conexión de serie de 1 p
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DIODOS
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 200 V 250mA a través del agujero DO-35
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Semiconductor de Diotec
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Transistor de efecto de campo BAV21 nuevo y original |
Diodo 200 V 250mA a través del agujero DO-35
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Semiconductor de Diotec
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BAV23,235 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 200 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 225mA (DC)
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Nexperia
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BAV23,215 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
2 200 soporte independiente de array de diodos TO-253-4, TO-253AA de la superficie de V 225mA (DC)
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV23A-QR |
Soporte superficial común de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del ánodo 200 V 225mA de 1 pa
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV23AHE3-TP nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Ánodo común 200 V 225 mA (CC) Montaje en superficie TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Soporte superficial común de array de diodos del cátodo 70 V 200mA de 1 par
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo BAV70 nuevo y original |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 75 V 215mA del campo com
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Fairchild
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BAV70S,115 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 2 pares Cátodo común 100 V 250 mA (CC) Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, SOT-36
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Nexperia
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Transistor de efecto de campo BAV99 nuevo y original |
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 de la conexión de serie de 1 par 75
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Semiconductor de Diotec
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BAV99T Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 85 V 75 mA Montaje en superficie SOT-523
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Fairchild
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BAV99STB6_R1_00001 Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Matriz de diodos Conexión en serie de 2 pares 75 V 150 mA Montaje en superficie SOT-563, SOT-666
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo BAV99S-AU_R1_000A1 NUEVO Y ORIGINAL |
Conjunto de diodos Conexión en serie de 2 pares 100 V 150 mA Montaje en superficie 6-TSSOP, SC-88, S
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Fabricante
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Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 100 V 150 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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DIODOS
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Transistor de efecto de campo BAV99W nuevo y original |
Matriz de diodos 1 par Conexión en serie 70 V 200 mA Montaje en superficie SC-70, SOT-323
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Semiconductor de Diotec
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