Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
D45H8 NPN PNP Transistores Bipolares (BJT) Transistor PNP 60V 10A 50W a través del agujero hasta 220AB
Transistores de potencia complementarios
Características
■ Baja tensión de saturación del colector-emitidor
■ Velocidad de cambio rápida
Aplicaciones
■ Amplificador de potencia
■ Circuitos de conmutación
Descripción
Los dispositivos se fabrican en tecnología plana multiepitaxial de bajo voltaje y están destinados a aplicaciones lineales y de conmutación de propósito general.
Atributos del producto | Seleccionar todos |
Categorías | Productos discretos de semiconductores |
Transistores - Bipolares (BJT) - Únicos | |
Fabricante | STMicroelectrónica |
Serie | - |
Embalaje | El tubo |
Estado de las partes | No está disponible |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - colector (Ic) (máximo) | 10A |
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) | Las demás: |
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Corriente - límite del colector (máximo) | 10 μA |
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
Potencia - máximo | 50 W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | A través del agujero |
Envase / estuche | TO-220-3 |
Paquete de dispositivos del proveedor | En el caso de los vehículos de la categoría M2 |
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
Amortiguador de onda transitoria del voltaje de BZW50-39BRL 180V Transil TV 5000W
Amortiguador de onda transitoria del voltaje de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15
El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP
Soporte superficial del supresor transitorio del voltaje de SM6T15CAY TV
2N7002 Diodo de chip nuevo y original
BCP52-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL
STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original
STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original
STP110N7F6 STOCK NUEVO Y ORIGINAL
Imagen | parte # | Descripción | |
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Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
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Amortiguador de onda transitoria del voltaje de BZW50-39BRL 180V Transil TV 5000W |
90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
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Amortiguador de onda transitoria del voltaje de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15 |
776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
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El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220
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Soporte superficial del supresor transitorio del voltaje de SM6T15CAY TV |
27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
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2N7002 Diodo de chip nuevo y original |
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
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BCP52-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
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STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original |
N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
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STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original |
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
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STP110N7F6 STOCK NUEVO Y ORIGINAL |
N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
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