Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP
fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 10 A 50 W a través del agujero TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Corriente de colector (DC):
3A
Voltaje de la Colector-base:
Las demás:
voltaje del Colector-emisor:
Las demás:
voltaje de la Emisor-base:
7V
Frecuencia:
120MHz
Disposición del poder:
2w
Polaridad del transistor:
NPN
Gama de funcionamiento de los temporeros:
-55C a 150C
Punto culminante:
epitaxial planar pnp transistor
,silicon npn power transistors
Introducción
2SD1899 Transistores de NPN PNP Transistores de potencia de NPN de silicio
Descripción
·Baja tensión de saturación del colector
·100% de pruebas de avalancha
·Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y un funcionamiento fiable
Las aplicaciones
·Aplicaciones de alta frecuencia de transición
Especificaciones
Categoría: BJT - Propósito general
Fabricante: RENESAS TECHNOLOGY
Corriente del colector (DC) : 3 (A)
Válvula de carga del colector: 60 V.
La tensión del colector-emitente: 60 V.
La tensión de base del emisor: 7 ((V)
Frécuencia: 120 (MHz)
Disposición de energía: 2 (W)
Instalación: montado en la superficie
Rango de temperatura de funcionamiento: -55 oC a 150 oC
Tipo de paquete: TO-252
Número de pines: 2 + Tab
Número de elementos: 1
Clasificación de temperatura de funcionamiento: militar
Categoría: Poder bipolar
Rad endurecido: No
Polaridad del transistor: NPN
Potencia de salida: no es necesaria ((W)
Configuración: único
La corriente continua de ganancia: 60@0.2A@2V/50@2A@2V
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