Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP

El agrupar actual bipolar del poder 65W HFE de los transistores 100V 6A de TIP42C NPN PNP

fabricante:
STMicroelectronics
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 100 V 6 A 65 W a través del agujero TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Categorías:
Transistores - bipolares (BJT) - solos
Actual - colector (Ic) (máximo):
6A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
100V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
1.5V @ 600mA, 6A
Actual - atajo del colector (máximo):
700UA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
15 @ 3A, 4V
Poder - máximo:
65W
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Punto culminante:

resistor equipped transistor

,

silicon npn power transistors

Introducción

TIP42C Transistores NPN PNP Bipolares (BJT) Transistor PNP 100V 6A 65W

Características

■ Dispositivos complementarios PNP-NPN

■ Nuevas series mejoradas

■ Alta velocidad de conmutación

■ agrupación de hFE

■ hFE mejora la linealidad

Aplicaciones

■ Circuitos de uso general

■ Amplificador de audio

■ lineal de potencia y conmutación


Descripción

El TIP41C es un transistor de potencia NPN de tecnología de isla base en paquete de plástico TO-252 que hace que este dispositivo sea adecuado para aplicaciones de audio, lineal de potencia y conmutación.El tipo de PNP complementario es TIP42C

Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías Productos discretos de semiconductores
  Transistores - Bipolares (BJT) - Únicos
Fabricante STMicroelectrónica
Serie -
Embalaje El tubo
Estado de las partes Actividad
Tipo de transistor PNP
Corriente - colector (Ic) (máximo) 6A
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) Las demás:
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Corriente - límite del colector (máximo) 700 μA
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Potencia - máximo 65 W
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

Voltaje de saturación bajo material del colector del silicio de los transistores de 2SD1899 NPN PNP

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Amortiguador de onda transitoria del voltaje de BZW50-39BRL 180V Transil TV 5000W

Amortiguador de onda transitoria del voltaje de BZW50-39BRL 180V Transil TV 5000W

90V Clamp 667A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole R-6
Amortiguador de onda transitoria del voltaje de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15

Amortiguador de onda transitoria del voltaje de P6KE440ARL 15kV 600W DO-15

776V Clamp 5.2A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Through Hole DO-15 (DO-204AC)
Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Transistores 60V 10A 50W de D45H8 NPN PNP a través del agujero al alto rendimiento 220AB

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 10 A 50 W Through Hole TO-220
Soporte superficial del supresor transitorio del voltaje de SM6T15CAY TV

Soporte superficial del supresor transitorio del voltaje de SM6T15CAY TV

27.2V Clamp 147A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB (DO-214AA)
2N7002 Diodo de chip nuevo y original

2N7002 Diodo de chip nuevo y original

N-Channel 60 V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23-3
BCP52-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

BCP52-16 BANCO NUEVO Y ORIGINAL

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 50MHz 1.4 W Surface Mount SOT-223
STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original

STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original

N-Channel 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original

STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original

N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
STP110N7F6 STOCK NUEVO Y ORIGINAL

STP110N7F6 STOCK NUEVO Y ORIGINAL

N-Channel 68 V 110A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-220
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10 PCS