2N7002PW canal N superficial 60V 310mA (TA) 260mW de los transistores del soporte NPN PNP
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
2N7002PW NPN PNP Transistores N-Canal 60V 310mA (Ta) 260mW (Ta) Montaje de superficie SC-70
Descripción
Este MOSFET ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS ((ON)) y, sin embargo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia.
Aplicaciones
Control motor
Funciones de gestión de energía
Características el
Baja resistencia
Tensión de umbral de entrada baja
Baja capacidad de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Envase de montaje de superficie pequeña
Completamente libre de plomo y totalmente conforme con la Directiva RoHS (Notas 1 y 2)
Sin halógenos y antimonio. ¢Green ¢ Dispositivo (Notas 3 y 4)
Calificado para las normas AEC-Q101 de alta fiabilidad
Datos mecánicos el
Caso: SOT23
Material del estuche: Plástico moldeado, compuesto de moldeado verde. Clasificación de inflamabilidad UL 94V-0 Sensibilidad a la humedad: Nivel 1 por J-STD-020
Los terminales: acabado de estaño mate recocido sobre el marco de plomo de aleación 42 (tapado libre de plomo). Soldable según MIL-STD-202, método 208
Conexiones terminales: véase el diagrama
Peso: 0,008 gramos (aproximado)
| Atributos del producto | Seleccionar todos |
| Categorías | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores - FET, MOSFET - Uno | |
| Fabricante | Nexperia EE.UU. Inc. |
| Serie | - |
| Embalaje | Cintas y bobinas (TR) |
| Estado de las partes | Actividad |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de salida a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C | Se aplicarán los siguientes requisitos: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | 10 V |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500 mA, 10 V |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | 2.4V @ 250μA |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 0.8nC @ 4.5V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 50 pF @ 10V |
| Característica del FET | - |
| Disposición de energía (máximo) | Las emisiones de gases de efecto invernadero |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | Las demás: |
| Envase / estuche | SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas. |
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