Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 60 V 3 un soporte superficial D-Pak de 50MHz 1 W
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
-60V
voltaje del Colector-emisor:
-60V
voltaje de la Emisor-base:
-7V
Colector Actual-continuo:
-3A
Disipación de poder del colector @TC=25℃:
10w
TEMPERATURA DE EMPALME:
150℃
temperatura de almacenamiento:
-55~150℃
Paquete:
TO126
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introducción
2SB1261 Transistores epitaxiales de silicio con diodo rectificador de propósito general PNP
Descripción
·Baja tensión de saturación del colector
·Alta disipación de potencia: PC=10W(Max)@TC=25°C
·Complemento del tipo 2SD1899-K
Las aplicaciones
Las aplicaciones
·Diseñado para su uso en amplificadores de audio y conmutadores, especialmente en circuitos integrados híbridos.
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