Transistor del silicio del poder medio 0.5A 300V 20W NPN de MJE340G
fabricante:
Semi / Semi catalizador
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 300 V 500 mA 20 W a través del agujero TO-126
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
To be negotiated
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
PN:
MJE340G
Marcas:
EN
Original:
LOS E.E.U.U.
paquete:
TO-225
Actual:
0.5A
Voltaje:
300V
Poder:
20W
Tipo:
Transistor de potencia media plástico del silicio de NPN
Punto culminante:
20W NPN Silicon Transistor
,300V NPN Silicon Transistor
,MJE340G Medium Power NPN Transistors
Introducción
MJE340G Transistor de silicio de potencia media NPN de plástico 0.5A Transistor de potencia 300V 20W
Características
• Adecuado para equipos sin transformador y operados por línea
• La construcción del termopado proporciona una alta tasa de disipación de potencia para una alta confiabilidad
• Estos dispositivos están libres de Pb− y cumplen con la Directiva RoHS*
• Complementario del MJE350
• 0,5 AMPER
• Transistor de potencia
• NPN Silicio
• 300 voltios, 20 vatios
• hasta el -225
Aplicación
Este dispositivo es útil para aplicaciones generales de alto voltaje.
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MOQ:
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