Tipo de fines generales sola configuración del transistor NPN de 2SD2227STPW 50V DC 0.15A
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW a través del agujero SPT
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, FIDEICOMISO
Especificaciones
Polaridad del transistor:
NPN
Voltaje VCEO del emisor del colector máximo:
50V
Voltaje bajo VCBO del colector:
60V
Voltaje bajo VEBO del emisor:
12V
Corriente máxima del colector de CC:
0.15A
Producto pie del ancho de banda del aumento:
250 megaciclos
Temperatura de funcionamiento máximo:
+ 150 C
HFE del aumento actual de DC máximo:
1200 en 1 mA en 5 V
Punto culminante:
resistor equipped transistor
,epitaxial planar pnp transistor
Introducción
2SD2227S NPN PNP Transistores de propósito general Transistores de 50V 0,15A
Transistores de potencia media (25 V, 1,2 V), transistores de uso general (50 V, 0,15 A)
Características
1) Gran ganancia de corriente continua.
2) Alta tensión de base del emisor (VCBO=12V)
3) Baja tensión de saturación (tipo VCE (sat) = 0,3V a IC/IB=50mA/5mA)
| Atributo del producto | Valor del atributo |
| Estilo de montaje: | DSM/SMT |
| Polaridad del transistor: | NPN (número de origen) |
| Configuración: | No casado |
| Voltado del colector-emitente VCEO máximo: | 50 V |
| VCBO del colector de tensión de base: | Las demás: |
| VEBO de voltaje de base del emisor: | 12 V |
| Corriente máxima del colector de CC: | 0.15A |
| Producto de ganancia de ancho de banda fT: | 250 MHz |
| Temperatura máxima de funcionamiento: | + 150 °C |
| Variación de la velocidad de la corriente continua: | 1200 a 1 mA y a 5 V |
| Corriente continua del colector: | 0.15A |
| Pd - Disposición de energía: | 300 mW |
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