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Componentes electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-30CPH03PBF |
Matriz de diodos 1 par Cátodo común 300 V 15A Orificio pasante TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF4905STRLPBF |
Soporte D2PAK de la superficie 170W (Tc) del P-canal 55 V 42A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7316TRPBF |
Soporte superficial 8-SO del arsenal 30V 4.9A 2W del Mosfet
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7842TRPBF |
Soporte 8-SO de la superficie 2.5W (TA) del canal N 40 V 18A (TA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRF7105TRPBF |
Arsenal 25V 3.5A, soporte superficial 8-SO del Mosfet de 2.3A 2W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo SI7615ADN-T1-GE3 |
P-canal 20 V 35A (Tc) 3.7W (TA), soporte superficial 52W (Tc) PowerPAK® 1212-8
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP264PBF |
Canal N 250 V 38A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP460LCPBF |
Canal N 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFPG50PBF |
Canal N 1000 V 6.1A (Tc) 190W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP3206PBF |
Canal N 60 V 120A (Tc) 280W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRFP4710PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 100 V 72A (Tc) 190W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP7430PBF |
Canal N 40 V 195A (Tc) 366W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP22N50APBF |
Canal N 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFP064VPBF |
Canal N 60 V 130A (Tc) 250W (Tc) a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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BTA06-600BWRG HISTORÍA NUEVA Y ORIGINAL |
TRIAC Alternistor - sin deslizamiento 600 V 6 A a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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BTA06-600CWRG HISTORÍA NUEVA y original |
TRIAC Alternistor - sin deslizamiento 600 V 6 A a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRF840STRLPBF |
Canal N 500 V 8A (Tc) 3.1W (TA), 125W (Tc) ² PAK (TO-263) del soporte D de la superficie
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-ETX0806FP-M3 |
Diodo 600 V 8A a través del paquete completo del agujero TO-220-2
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-ETU1506FP-M3 |
Diodo 600 V 15A a través del paquete completo del agujero TO-220-2
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH8318TRPBF |
Canal N 30 V 27A (TA), 120A (Tc) 3.6W (TA), 59W (Tc) soporte PQFN (5x6) de la superficie
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Infineon
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Diodo rectificador de tipo puente SMD Avalanche ultrarápido, BYG20J-E3/TR |
Soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo 600 V 1.5A
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VISHAY
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TLP621-2 Chip de circuito integrado de circuito integrado con memoria de programa de chip |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 2 el canal 8-DIP
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Fabricante
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Diodo rectificador de tipo puente 1N4007 de 50 a 1000 voltios 1,0 amperes |
Diodo 1000 V 1A a través del agujero DO-41
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Semi / Semi catalizador
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Diodos Zener de vidrio de silicio pasivados de 1,0 Watt Diodos Zener de vidrio pasivados de unión Diodo Zener de silicio 1n4733A |
Diodo Zener 5,1 V 1 W el ±5% a través del agujero DO-41
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Semi / Semi catalizador
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NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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Semi / Semi catalizador
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SFH628A-3X001 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-DIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SFH615A-2 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-DIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-12CWQ10FNTR-M3 |
Matriz de diodos 1 par de cátodo común 100 V 6 A Montaje en superficie TO-252-3, DPak (2 conductores
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIHP18N50C-E3 |
Canal N 500 V 18A (Tc) 223W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIHP12N50C-E3 |
Canal N 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) a través del agujero
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRFD110PBF |
Canal N 100 V 1A (TA) 1.3W (TA) a través del agujero 4-HVMDIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SFH615A-2 |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5300Vrms 1 el canal 4-DIP
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE GBU608 |
Estándar 800 V la monofásico del puente rectificador a través del agujero GBU
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DIODOS
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-MUR3020WTPBF |
Cátodo común de array de diodos 200 V 15A de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFBG30PBF |
Canal N 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFBE30PBF |
Canal N 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de V30100C-E3/4W |
Cátodo común de array de diodos 100 V 15A de 1 par a través del agujero TO-220-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGS10B60KDTRRP |
Soporte superficial D2PAK de IGBT NPT 600 V 22 A 156 W
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Infineon
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IRF1407PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF1404PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 40 V 202A (Tc) 333W (Tc) a través del orificio TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-MBR6045WTPBF |
Cátodo común de array de diodos 45 V 30A de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE 2W10G-E4/51 |
Estándar la monofásico del puente rectificador 1 kilovoltio a través del EXTRANJERO del agujero
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR1018ETRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del canal N 60 V 56A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE SIHF12N50C-E3 |
Canal N 500 V 12A (Tc) 36W (Tc) a través del paquete completo del agujero TO-220
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE VS-HFA30PA60CPBF |
Cátodo común de array de diodos 600 V 15A (DC) de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR7540TRPBF |
Soporte D-PAK (TO-252AA) de la superficie 140W (Tc) del canal N 60 V 90A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR3806TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 71W (Tc) del canal N 60 V 43A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFR5305TRPBF |
Soporte D-Pak de la superficie 110W (Tc) del P-canal 55 V 31A (Tc)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU120NPBF |
Canal N 100 V 9.4A (Tc) 48W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFU5410PBF |
P-canal 100 V 13A (Tc) 66W (Tc) a través del agujero IPAK (TO-251AA)
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Infineon
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