Filtros
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Componentes electrónicos
| Imagen | parte # | Descripción | fabricante | Común | RFQ | |
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GRM1555C1H2R7CA01D condensador MLCC nuevo y original |
2,7 condensador de cerámica C0G, NP0 0402 (1005 del PF ±0.25pF 50V métricos)
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Murata
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GRM1555C1H300GA01D condensador MLCC nuevo y original |
30 pF ± 2% condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM1555C1H301JA01D condensador MLCC nuevo y original |
Capacitador cerámico de 50 V de 300 pF ± 5% C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM1555C1H330GA01D condensador MLCC nuevo y original |
33 pF ± 2% condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM1555C1H330JA01D condensador MLCC nuevo y original |
33 pF ± 5% condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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GRM1555C1H102JA01D existencias nuevas y originales |
1000 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0402 (1005 métricos)
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Murata
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GRM1555C1H390GA01D condensador MLCC nuevo y original |
39 pF ± 2% condensador cerámico de 50 V C0G, NP0 0402 (1005 métrico)
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Murata
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TG-5035CJ-33N 38.4000M3 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
38.4 MHz TCXO Oscilador 1.7V ~ 3.6V en modo de espera (apagado) 4-SMD, sin plomo
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EPSON
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE BLM31PG121SN1L |
120 ohmios @ gota de ferrita de la línea eléctrica de 100 megaciclos 1 1206 (3216 métricos) 3.5A 20m
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Fabricante
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Montaje de cerámica del condensador 50V C0G de GRM1885C1H222JA01D 2200pF el ±5% NP0 0603 MLCC |
2200 condensador de cerámica del PF el ±5% 50V C0G, NP0 0603 (1608 métricos)
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Fabricante
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Serie 1206 de CC1206KKX7RDBB102 SMD Chip Capacitor 1000pF el ±10% 2000V X7R |
1000 condensador de cerámica del PF el ±10% 2000V (2kV) X7R 1206 (3216 métricos)
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Fabricante
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Condensador de cerámica 0402 de CL05A474KQ5NNNC 0.47µF el ±10% 6.3V X5r para el equipamiento médico |
0,47 condensadores de cerámica 6.3V X5R del µF el ±10% 0402 (1005 métricos)
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SAMSUNG
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AO4854 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Mosfet Array 30V 8A 2W Montaje de superficie 8-SOIC
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Fabricante
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AOD403 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Se utilizará para la obtención de datos sobre la capacidad de los motores de combustión interna y ex
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Fabricante
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AON7405 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
P-canal 30 V 25A (Ta), 50A (Tc) 6.25W (Ta), 83W (Tc) Montaje de superficie 8-DFN-EP (3.3x3.3)
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Fabricante
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AON7407 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
P-Canal 20 V 14.5A (Ta), 40A (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) Montaje de superficie 8-DFN-EP (3x3)
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Fabricante
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AON7408 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
N-Canal 30 V 10A (Ta), 18A (Tc) 3.1W (Ta), 11W (Tc) Montaje de superficie 8-DFN-EP (3x3)
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Fabricante
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AON7534 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
N-Canal 30 V 20A (Ta), 30A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Montaje de superficie 8-DFN-EP (3x3)
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Fabricante
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AON7410 Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
N-Canal 30 V 9.5A (Ta), 24A (Tc) 3.1W (Ta), 20W (Tc) Montaje de superficie 8-DFN-EP (3x3)
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGIB10B60KD1P |
IGBT NPT 600 V 16 A 44 W a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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IRGP35B60PDPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
IGBT NPT 600 V 60 A 308 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP20B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 40 A 220 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGB6B60KDPBF |
IGBT NPT 600 V 13 A 90 W a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PD1PBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 390 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IRGP50B60PDPBF |
IGBT NPT 600 V 75 A 370 W a través del agujero TO-247AC
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Infineon
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IRG4BC30KDSTRRP Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de velocidad de la unidad IGBT 600 V 28 A 100 W
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Infineon
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL del transistor de efecto de campo de IXTQ130N10T |
Canal N 100 V 130A (Tc) 360W (Tc) a través del agujero TO-3P
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Fabricante
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ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IRFH5300TRPBF |
Canal N 30 V 40 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6 W (Ta), 250 W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)
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Infineon
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IRFIZ44NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 55 V 31A (Tc) 45W (Tc) a través del agujero TO-220AB Lleno-Pak
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Infineon
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VS-60CPQ150PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Cátodo común de array de diodos 150 V 30A de 1 par a través del agujero TO-247-3
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VISHAY
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IRF640NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 18A (Tc) 150W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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VS-36MB160A Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Estándar la monofásico del puente rectificador terminal D-34 del control de calidad de 1,6 kilovolti
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VISHAY
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IRF6665TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-Canal 100 V 4.2A (Ta), 19A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Montaje de superficie DIRECTFETTM SH
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Infineon
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IRF6216TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
P-Canal 150 V 2.2A (Ta) 2.5W (Ta) Montado de superficie 8-SO
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Infineon
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IRF640PBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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IRF6638TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplican las siguientes medidas:
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Infineon
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IRF6218STRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
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Infineon
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IRF630NPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Canal N 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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Infineon
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IRF6620TRPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utilizará para determinar e
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Infineon
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IRF620PBF Transistor de efecto de campo NUEVO Y ORIGINAL |
N-canal 200 V 5.2A (Tc) 50W (Tc) a través del agujero TO-220AB
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VISHAY
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IRF630NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
N-canal 200 V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Montaje de superficie D2PAK
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Infineon
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IRF640NSTRLPBF Transistor de efecto de campo nuevo y original |
Soporte D2PAK de la superficie 150W (Tc) del canal N 200 V 18A (Tc)
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Infineon
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PC817 Chip de placa de circuito original PC817X3NSZ9F Tipo C 817 Optoacoplador DIP SHARP |
El transistor del aislador óptico hizo salir 5000Vrms 1 el canal 4-DIP
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Fabricante
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Acelerómetro X, Y, acelerómetros ADI de ADXL356CEZ-RL de los sensores de movimiento de Z AXIS |
Acelerómetro X, Y, Z AXIS ±10g, ±40g 1Hz ~ 1kHz 14-CLCC (6x6)
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ANALOG DEVICES
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TCS3200D-TR circuito integrado programable luz a frecuencia / sensor de voltaje IC |
Sensor de color Automáticamente apagado 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
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ams-OSRAM
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STP110N8F6 HISTORÍA NUEVA y original |
Canal N 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) a través del agujero TO-220
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STMicroelectronics
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MBRB10100-E3/8W Nuevo y original |
Diodo 100 V 10A montado en la superficie TO-263AB (D2PAK)
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VISHAY
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STW45NM60 ALCANCE NUEVO y original |
Canal N 650 V 45A (Tc) 417W (Tc) a través del agujero TO-247-3
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STMicroelectronics
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BAT120C,115 BESO NUEVO Y ORIGINAL |
Soporte común de array de diodos TO-261-4, TO-261AA de la superficie del cátodo 25 V 1A (DC) de 1 pa
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Nexperia
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BCP51-16,115 ALCANCE NUEVO Y ORIGINAL |
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 1 A 145MHz 1 W Montaje de superficie SOT-223
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Nexperia
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